公开(公告)号：CN113278935B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202110496762.5

申请日：2021-05-07

申请人： 昆明贵研新材料科技有限公司

发明人： 沈月 ,  闻明 ,  许彦亭 ,  李思勰 ,  王传军 ,  巢云秀 ,  周利民 ,  施晨琦 ,  张仁耀

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G01N27/30 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种氧化铂电极及其制备方法和用途，所述氧化铂电极包含铂基材和三维纳米枝晶状氧化铂溅射层，溅射层的平均晶粒尺寸5～15nm、最大枝晶长度50～500nm、厚度0.5～2μm。所述制备方法包括：1)铂基材预处理；2)铂靶材制备及安装；3)磁控溅射法制氧化铂溅射层；4)电极热处理，制得氧化铂电极。该方法不仅简单易操作，而且制备的氧化铂电极具有附着力好、作为催化剂的比表面积及电催化活性好等优点，可应用于核工业领域恶劣环境中的氢浓度监测传感器。

公开(公告)号：CN113278935A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110496762.5

申请日：2021-05-07

申请人： 昆明贵研新材料科技有限公司

发明人： 沈月 ,  闻明 ,  许彦亭 ,  李思勰 ,  王传军 ,  巢云秀 ,  周利民 ,  施晨琦 ,  张仁耀

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  G01N27/30 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种氧化铂电极及其制备方法和用途，所述氧化铂电极包含铂基材和三维纳米枝晶状氧化铂溅射层，溅射层的平均晶粒尺寸5～15nm、最大枝晶长度50～500nm、厚度0.5～2μm。所述制备方法包括：1)铂基材预处理；2)铂靶材制备及安装；3)磁控溅射法制氧化铂溅射层；4)电极热处理，制得氧化铂电极。该方法不仅简单易操作，而且制备的氧化铂电极具有附着力好、作为催化剂的比表面积及电催化活性好等优点，可应用于核工业领域恶劣环境中的氢浓度监测传感器。