一种用作久储相变存储介质的Ru-Sb-Te合金溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN114892133A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210342072.9

    申请日:2022-04-02

    摘要: 本发明公开了一种用作相变存储介质的高性能Ru‑Sb‑Te合金溅射靶材。所述Ru‑Sb‑Te合金溅射靶材由原料钌Ru、锑Sb和碲Te按化学式Rux(Sb2Te)100‑x组成的合金靶材,其中,x为Ru元素的原子百分比,1≤x≤10;尤其x为3或5;所述原料为Ru、Sb、Te三种单质金属或任意两种元素的化合物。制备方法以钌、锑、碲或其任意两种元素的化合物为原料,通过熔铸法制备Ru‑Sb‑Te合金粉末;通过机械破碎、加压烧结获得靶材坯料,最后加工成型获得靶材。本发明通过钌的添加,改善了Sb2Te化合物相变温度低,热稳定性差等缺点;通过熔炼后粉末制备和加压烧结,获得较好均匀性和高致密度溅射靶材,避免直接熔铸制备的靶材熔炼缺陷多、晶粒粗大、加工性差等缺点;充分满足相变存储领域对RST靶材的高要求。