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公开(公告)号：CN118875285A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411113855.5
申请日：2024-08-14
申请人： 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高纯钌基合金靶材的制备方法，属于钌基合金靶材的制备技术领域。所述制备方法包括如下步骤：将氯钌酸铵和其他合金化元素球形颗粒(钽、铬、钨)进行球磨处理，使得氯钌酸铵包覆在合金化元素球形颗粒表面，有利于降低真空热压烧结温度并提高钌基合金靶材的致密度；接着将氯钌酸铵包覆合金化元素的复合粉末进行煅烧及还原处理，有利于调控钌基合金靶材的微观结构；最后将包含纯钌和合金颗粒的复合粉末进行真空热压烧结，得到钌基合金靶材坯料。本发明实现了对于高纯钌基合金靶材致密度的提高和微观结构的有效调控，降低了制备工艺复杂程度及成本，所制备的钌基合金靶材的服役性能得到了改善。
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公开(公告)号：CN113278935A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110496762.5
申请日：2021-05-07
申请人： 昆明贵研新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氧化铂电极及其制备方法和用途，所述氧化铂电极包含铂基材和三维纳米枝晶状氧化铂溅射层，溅射层的平均晶粒尺寸5～15nm、最大枝晶长度50～500nm、厚度0.5～2μm。所述制备方法包括：1)铂基材预处理；2)铂靶材制备及安装；3)磁控溅射法制氧化铂溅射层；4)电极热处理，制得氧化铂电极。该方法不仅简单易操作，而且制备的氧化铂电极具有附着力好、作为催化剂的比表面积及电催化活性好等优点，可应用于核工业领域恶劣环境中的氢浓度监测传感器。
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公开(公告)号：CN113278935B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110496762.5
申请日：2021-05-07
申请人： 昆明贵研新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氧化铂电极及其制备方法和用途，所述氧化铂电极包含铂基材和三维纳米枝晶状氧化铂溅射层，溅射层的平均晶粒尺寸5～15nm、最大枝晶长度50～500nm、厚度0.5～2μm。所述制备方法包括：1)铂基材预处理；2)铂靶材制备及安装；3)磁控溅射法制氧化铂溅射层；4)电极热处理，制得氧化铂电极。该方法不仅简单易操作，而且制备的氧化铂电极具有附着力好、作为催化剂的比表面积及电催化活性好等优点，可应用于核工业领域恶劣环境中的氢浓度监测传感器。
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公开(公告)号：CN114892133A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210342072.9
申请日：2022-04-02
申请人： 昆明贵研新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用作相变存储介质的高性能Ru‑Sb‑Te合金溅射靶材。所述Ru‑Sb‑Te合金溅射靶材由原料钌Ru、锑Sb和碲Te按化学式Rux(Sb2Te)100‑x组成的合金靶材，其中，x为Ru元素的原子百分比，1≤x≤10；尤其x为3或5；所述原料为Ru、Sb、Te三种单质金属或任意两种元素的化合物。制备方法以钌、锑、碲或其任意两种元素的化合物为原料，通过熔铸法制备Ru‑Sb‑Te合金粉末；通过机械破碎、加压烧结获得靶材坯料，最后加工成型获得靶材。本发明通过钌的添加，改善了Sb2Te化合物相变温度低，热稳定性差等缺点；通过熔炼后粉末制备和加压烧结，获得较好均匀性和高致密度溅射靶材，避免直接熔铸制备的靶材熔炼缺陷多、晶粒粗大、加工性差等缺点；充分满足相变存储领域对RST靶材的高要求。
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公开(公告)号：CN114717524A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210342017.X
申请日：2022-04-02
申请人： 昆明贵研新材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种适于作久储相变存储介质的高性能Ru‑Sb‑Te合金溅射靶材。所述Ru‑Sb‑Te合金溅射靶材由原料钌Ru、锑Sb和碲Te按化学式Rux(Sb2Te)100‑x组成的合金靶材，其中，x为Ru元素的原子百分比，1≤x≤10；尤其x为5或8；所述原料为Ru、Sb、Te三种单质金属或任意两种元素的化合物。制备方法以钌、锑、碲或其任意两种元素的化合物为原料，通过熔铸法制备Ru‑Sb‑Te合金粉末；通过机械破碎、加压烧结获得靶材坯料，最后加工成型获得靶材。本发明通过钌的添加，改善了Sb2Te化合物相变温度低，热稳定性差等缺点；通过熔炼后粉末制备和加压烧结，获得较好均匀性和高致密度溅射靶材，避免直接熔铸制备的靶材熔炼缺陷多、晶粒粗大、加工性差等缺点；充分满足相变存储领域对RST靶材的高要求。
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