公开(公告)号：CN1141736C

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN99813773.1

申请日：1999-11-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 绪方不二麿 ,  杉山勉 ,  宫原邦明

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/302 ,  H01L21/027 ,  C11D7/08 ,  C11D7/22

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及由包含硝酸和选自多元羧酸，氨基羧酸及它们盐的至少一种羧酸类的水溶液所构成的侧壁堆积物除去用组合物，侧壁堆积物除去方法和半导体器件的制造方法。利用本发明能够在低温下短时间内除去侧壁堆积物且使半导体器件中的Al合金等配线材料不被腐蚀，能够以高效率制得具备实质上不会被腐蚀的Al合金配线的半导体器件。

公开(公告)号：CN1328698A

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN99813773.1

申请日：1999-11-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 绪方不二麿 ,  杉山勉 ,  宫原邦明

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/302 ,  H01L21/027 ,  C11D7/08 ,  C11D7/22

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及由包含硝酸和选自多元羧酸,氨基羧酸及它们盐的至少一种羧酸类的水溶液所构成的侧壁堆积物除去用组合物,侧壁堆积物除去方法和半导体器件的制造方法。利用本发明能够在低温下短时间内除去侧壁堆积物且使半导体器件中的A1合金等配线材料不被腐蚀,能够以高效率制得具备实质上不会被腐蚀的A1合金配线的半导体器件。