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公开(公告)号：CN106660914B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201580033942.2
申请日：2015-07-08
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供，从含有烷撑二醇单烷基醚及其对应的羧酸酯，且包含其他溶剂的溶剂混合物中以高纯度且高收率分离回收烷撑二醇单烷基醚的方法。通过向包含烷撑二醇单烷基醚(第一溶剂)、与烷撑二醇单烷基醚(第一溶剂)对应的烷撑二醇单烷基醚羧酸酯(第二溶剂)、以及与烷撑二醇单烷基醚(第一溶剂)和烷撑二醇单烷基醚羧酸酯(第二溶剂)不同的溶剂(第三溶剂)的溶剂混合物中添加碱性化合物，从而将烷撑二醇单烷基醚羧酸酯(第二溶剂)皂化、转变为烷撑二醇单烷基醚(第一溶剂)，然后通过蒸馏来回收烷撑二醇单烷基醚(第一溶剂)。
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公开(公告)号：CN1328698A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN99813773.1
申请日：1999-11-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/302 , H01L21/027 , C11D7/08 , C11D7/22
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/042 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D7/08 , C11D11/0047
Abstract: 本发明涉及由包含硝酸和选自多元羧酸,氨基羧酸及它们盐的至少一种羧酸类的水溶液所构成的侧壁堆积物除去用组合物,侧壁堆积物除去方法和半导体器件的制造方法。利用本发明能够在低温下短时间内除去侧壁堆积物且使半导体器件中的A1合金等配线材料不被腐蚀,能够以高效率制得具备实质上不会被腐蚀的A1合金配线的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1141736C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN99813773.1
申请日：1999-11-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/302 , H01L21/027 , C11D7/08 , C11D7/22
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/042 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D7/08 , C11D11/0047
Abstract: 本发明涉及由包含硝酸和选自多元羧酸，氨基羧酸及它们盐的至少一种羧酸类的水溶液所构成的侧壁堆积物除去用组合物，侧壁堆积物除去方法和半导体器件的制造方法。利用本发明能够在低温下短时间内除去侧壁堆积物且使半导体器件中的Al合金等配线材料不被腐蚀，能够以高效率制得具备实质上不会被腐蚀的Al合金配线的半导体器件。
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公开(公告)号：CN106660914A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580033942.2
申请日：2015-07-08
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供，从含有烷撑二醇单烷基醚及其对应的羧酸酯，且包含其他溶剂的溶剂混合物中以高纯度且高收率分离回收烷撑二醇单烷基醚的方法。通过向包含烷撑二醇单烷基醚(第一溶剂)、与烷撑二醇单烷基醚(第一溶剂)对应的烷撑二醇单烷基醚羧酸酯(第二溶剂)、以及与烷撑二醇单烷基醚(第一溶剂)和烷撑二醇单烷基醚羧酸酯(第二溶剂)不同的溶剂(第三溶剂)的溶剂混合物中添加碱性化合物，从而将烷撑二醇单烷基醚羧酸酯(第二溶剂)皂化、转变为烷撑二醇单烷基醚(第一溶剂)，然后通过蒸馏来回收烷撑二醇单烷基醚(第一溶剂)。
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