公开(公告)号：CN110637109A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032744.8

申请日：2018-04-19

申请人： 昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

发明人： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

摘要： 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

公开(公告)号：CN110192266A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

申请人： 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

摘要： 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN110637109B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201880032744.8

申请日：2018-04-19

申请人： 昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

发明人： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

摘要： 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

公开(公告)号：CN110192266B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

申请人： 株式会社力森诺科 ,  株式会社电装

发明人： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

摘要： 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。