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公开(公告)号：CN110637109B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201880032744.8
申请日：2018-04-19
申请人： 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205 , C23C16/42
摘要： 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
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公开(公告)号：CN110192266A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
摘要： 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN110637109A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880032744.8
申请日：2018-04-19
申请人： 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
IPC分类号： C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/42
摘要： 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
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公开(公告)号：CN109075038A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780012924.5
申请日：2017-02-27
申请人： 纽富来科技股份有限公司 , 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/6719 , B01F3/028 , C23C16/455 , C23C16/45587 , H01L21/02529 , H01L21/205
摘要： 提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。
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公开(公告)号：CN110192266B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
摘要： 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN109904905B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201811502786.1
申请日：2018-12-10
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H02J7/00 , G01R31/396
摘要： 电池控制单元适用于电源系统，该电源系统设置有：电池单体(C)串联连接的蓄电池(10)、滤波电路(31)、放电电路(34)和连接在电池单体与滤波电路之间的连接构件(L)。电池控制单元包括：电压检测单元(21)，其检测噪波被滤波电路消除的电池单体处的电压，紧接在通过放电电路执行放电之前/之后来检测电压；校正值计算单元，其计算通过放电电路执行放电时连接构件处的电压降的量，以作为校正值；以及电压计算单元，其通过将由校正值计算单元计算的校正值与由电压检测单元紧随放电之后检测的放电后电压相加来计算电池单体的电压。
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公开(公告)号：CN103320762A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310093006.3
申请日：2013-03-22
申请人： 纽富来科技股份有限公司 , 株式会社电装
CPC分类号： H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/36
摘要： 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。
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公开(公告)号：CN109904905A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811502786.1
申请日：2018-12-10
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H02J7/00 , G01R31/396
摘要： 电池控制单元适用于电源系统，该电源系统设置有：电池单体(C)串联连接的蓄电池(10)、滤波电路(31)、放电电路(34)和连接在电池单体与滤波电路之间的连接构件(L)。电池控制单元包括：电压检测单元(21)，其检测噪波被滤波电路消除的电池单体处的电压，紧接在通过放电电路执行放电之前/之后来检测电压；校正值计算单元，其计算通过放电电路执行放电时连接构件处的电压降的量，以作为校正值；以及电压计算单元，其通过将由校正值计算单元计算的校正值与由电压检测单元紧随放电之后检测的放电后电压相加来计算电池单体的电压。
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公开(公告)号：CN103160922A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210544538.X
申请日：2012-12-14
申请人： 纽富来科技股份有限公司 , 财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
IPC分类号： C30B25/02 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/165 , C30B25/14
摘要： 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。
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公开(公告)号：CN110780206B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201910693749.1
申请日：2019-07-30
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： G01R31/382 , G01R31/396
摘要： 一种电池监视设备，将端子部(2)与处理部(3)连接的连接部(4)包括插入各主线(Li)的均衡电阻(43)以及用于使第一端子(Tm+1)的主线(Lm+1)与第二端子(Tm+2)的主线(Lm+2)短路的0Ω电阻(46)。在端子部(2)中，第二端子(Tm+2)未被使用，并且与堆条(52)的高电位侧相邻的电池单元(Cm)连接在第一端子(Tm+1)与第三端子(Tm+3)之间。
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