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公开(公告)号：CN108538960A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810306082.0
申请日：2018-04-08
申请人： 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种HJT电池钝化工艺。包括以下步骤：A、先将N型单晶硅片进行制绒清洗，制绒清洗后绒面大小为3-10um，反射率为11%-13%；B、采用PECVD工艺利用纯硅烷作为前驱物进行i膜层沉积；C、利用H2稀释硅烷进行i 膜层成膜，然后对两层膜层进行双层钝化；D、用硅烷作为前驱物，乙硼烷掺杂用于制备p-a-Si：H膜层；E、利用PVD/RPD工艺在p-a-Si:H膜层上沉积TCO导电膜；F、利用丝网印刷技术进行金属化，形成金属电极。该工艺方法大大优化了非晶硅钝化膜层带隙，有效降低了界面处缺陷态密度，增强了钝化效果，另外，尤其对于RF射频电源设备，采用该方法，等离子体对表面轰击能量较少，从而可以降低对硅片表面损伤。
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公开(公告)号：CN107819052A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711303308.3
申请日：2017-12-11
申请人： 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/182
摘要： 本发明公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法。它包括硅衬底层以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层和硅衬底层下层的下本征非晶硅层，上本征非晶硅层的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层、受光面第二掺杂非晶硅层和上TOC层，下本征非晶硅层的下层由上往下依次设置有第三掺杂非晶硅层和下TOC层。采用上述的结构和方法后，由于设置的两层受光面掺杂非晶硅层并且通过在制备过程中通过调整工艺参数实现受光面双掺杂非晶硅层，使其膜层同时具有优异的光学性能和电学性能，由此在不影响HJT电池受光面掺杂非晶硅导电性的情况下，提高了该掺杂非晶硅层的带隙，提高了光的利用率，从而了提高HJT电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN207637825U
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201721705708.2
申请日：2017-12-11
申请人： 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/18
摘要： 本实用新型公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法。它包括硅衬底层以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层和硅衬底层下层的下本征非晶硅层，上本征非晶硅层的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层、受光面第二掺杂非晶硅层和上TOC层，下本征非晶硅层的下层由上往下依次设置有第三掺杂非晶硅层和下TOC层。采用上述的结构和方法后，由于设置的两层受光面掺杂非晶硅层并且通过在制备过程中通过调整工艺参数实现受光面双掺杂非晶硅层，使其膜层同时具有优异的光学性能和电学性能，由此在不影响HJT电池受光面掺杂非晶硅导电性的情况下，提高了该掺杂非晶硅层的带隙，提高了光的利用率，从而了提高HJT电池的光电转换效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207637824U
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201721704101.2
申请日：2017-12-11
申请人： 晋能光伏技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/0224
摘要： 本实用新型公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构。它包括正面金属电极和背面金属电极，正面金属电极和背面金属电极之间依次设置有上正面铟锡氧化物透明导电薄膜、下正面铟锡氧化物透明导电薄膜、正面N型非晶硅薄膜和正面本征非晶硅薄膜、N型晶体硅基底背面本征非晶硅薄膜、背面P型非晶硅薄膜以及背面铟锡氧化物透明导电薄膜，上正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度小于下正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度，采用上述的结构后，实现了HJT电池的优化，提升了HJT电池的转换效率，不但使透过性和导电性均实现了最优化，而且改善了与银金属电极的接触电阻，改善了膜层对光的吸收，使透光率得到明显改善，也使电池片的FF性能得到极大的提高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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