公开(公告)号：CN104221176A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380005733.8

申请日：2013-01-15

申请人： 普罗米鲁斯有限责任公司 ,  住友电木株式会社

发明人： C·阿帕纽斯 ,  A·贝尔 ,  C·伯恩斯 ,  C·赛勒斯 ,  E·埃尔切 ,  R·格罗夫 ,  S·开蒂 ,  B·纳普 ,  H·额 ,  S·大桥 ,  张伟

IPC分类号： H01L51/00 ,  C08F232/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： C08F232/08 ,  C08F2500/13 ,  C08F2500/25 ,  C08F2500/26 ,  C08F2800/20 ,  C08K5/13 ,  C08K5/18 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J145/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/114 ,  C09J2400/143 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0395 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/5329 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043

摘要： 本发明涉及一种聚降冰片烯(PNB)组合物实施方案，其对于形成微电子和/或光电子器件及其组件是有用的，本发明更具体涉及一种包含具有降冰片烯型重复单元的PNB的组合物，该降冰片烯型重复单元是聚醚官能化的，其中，该组合物以及由其形成的微电子和/或光电子器件的该PNB可抵抗所述聚醚官能的热氧化性的链降解。

公开(公告)号：CN104221176B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201380005733.8

申请日：2013-01-15

申请人： 住友电木株式会社

发明人： C·阿帕纽斯 ,  A·贝尔 ,  C·伯恩斯 ,  C·赛勒斯 ,  E·埃尔切 ,  R·格罗夫 ,  S·开蒂 ,  B·纳普 ,  H·额 ,  S·大桥 ,  张伟

IPC分类号： H01L51/00 ,  C08F232/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： C08F232/08 ,  C08F2500/13 ,  C08F2500/25 ,  C08F2500/26 ,  C08F2800/20 ,  C08K5/13 ,  C08K5/18 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J145/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/114 ,  C09J2400/143 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0395 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/5329 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043

摘要： 本发明涉及一种聚降冰片烯(PNB)组合物实施方案，其对于形成微电子和/或光电子器件及其组件是有用的，本发明更具体涉及一种包含具有降冰片烯型重复单元的PNB的组合物，该降冰片烯型重复单元是聚醚官能化的，其中，该组合物以及由其形成的微电子和/或光电子器件的该PNB可抵抗所述聚醚官能的热氧化性的链降解。