用于离子注入的含锑材料

    公开(公告)号:CN111033679B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN201880053287.0

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本发明提供了一种用于使用含锑掺杂剂材料的新型方法、组合物以及系统。作为离子注入工艺的一部分,选择具有足够蒸气压的组合物,以使该组合物流入电弧室。含锑材料由含非碳的化学式表示,从而减少或消除将碳基沉积物引入离子室中。组合物在稳定条件下储存在储存和输送器皿中,该储存和输送器皿包括不含痕量的水分的无水环境。

    用于离子注入的含锑材料

    公开(公告)号:CN111033679A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201880053287.0

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本发明提供了一种用于使用含锑掺杂剂材料的新型方法、组合物以及系统。作为离子注入工艺的一部分,选择具有足够蒸气压的组合物,以使该组合物流入电弧室。含锑材料由含非碳的化学式表示,从而减少或消除将碳基沉积物引入离子室中。组合物在稳定条件下储存在储存和输送器皿中,该储存和输送器皿包括不含痕量的水分的无水环境。

    高性能半导体级氯化二甲基铝
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119968376A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202380070689.2

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 提供了新型高纯度氯化二甲基铝组合物,新型高纯度氯化二甲基铝组合物适用于半导体应用,诸如原子层蚀刻和铝离子注入。特定气态杂质的减少或最大程度减少允许DMAC的气相具有99.9摩尔%或更高的纯度水平以在可接受的蚀刻速率下以高选择性和高蚀刻精度选择性地蚀刻各种原子层,并且允许具有99摩尔%或更高的纯度水平以离子注入铝离子而基本上不将C2H3离子注入到晶片器件中,从而避免该晶片器件的劣化或失效。建立有利于维持此类半导体应用所需的高纯度水平的储存条件。

    将含锑材料储存和输送到离子注入机

    公开(公告)号:CN111613505B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN201910307927.2

    申请日:2019-04-17

    Abstract: 本发明题为“将含锑材料储存和输送到离子注入机”。本发明提供了一种用于使用含锑掺杂剂材料的新型方法、组合物以及储存和输送容器。选择具有足够蒸气压的组合物,以使该组合物以稳定、充足和持续的流速流入电弧室,作为离子注入工艺的一部分。含锑材料由含非碳的化学式表示,从而减少或消除将碳基沉积物引入离子室中。组合物在稳定条件下储存在储存和输送器皿中,该储存和输送器皿包括不含痕量的水分的无水环境。储存和输送容器被具体地设计成允许以稳定、充足和持续的流速输送高纯度蒸气相含锑掺杂剂材料。

    将含锑材料储存和输送到离子注入机

    公开(公告)号:CN111613505A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201910307927.2

    申请日:2019-04-17

    Abstract: 本发明题为“将含锑材料储存和输送到离子注入机”。本发明提供了一种用于使用含锑掺杂剂材料的新型方法、组合物以及储存和输送容器。选择具有足够蒸气压的组合物,以使该组合物以稳定、充足和持续的流速流入电弧室,作为离子注入工艺的一部分。含锑材料由含非碳的化学式表示,从而减少或消除将碳基沉积物引入离子室中。组合物在稳定条件下储存在储存和输送器皿中,该储存和输送器皿包括不含痕量的水分的无水环境。储存和输送容器被具体地设计成允许以稳定、充足和持续的流速输送高纯度蒸气相含锑掺杂剂材料。

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