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公开(公告)号：CN108269908B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810158996.7
申请日：2014-04-25
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/60
摘要： 本发明公开一种发光二极管装置，包含：一发光叠层，包含一第一型半导体层，一第二型半导体层，及一活性层形成在该第一型半导体层与该第二型半导体层间且发出一光线；一反射结构，形成于该第一型半导体层上并具有第一界面与第二界面，其中，该光线于该第一界面所产生的全反射角大于该光线于该第二界面所产生的全反射角；以及一结合层包覆该反射结构并与该第一型半导体层相接触；其中，该反射结构与该第一型半导体层于该第一界面形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN107968066A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711391835.4
申请日：2013-07-29
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/62 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L33/62 , H01L2221/68318 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2933/0066
摘要： 本发明公开一种半导体装置，其包含：基板，具有第一表面；半导体元件，位于该第一表面上，该半导体元件具有相对于该第一表面的表面；以及粘结结构，位于该第一表面与该表面之间，与该半导体元件以及该基板直接接触，其中，该粘结结构包含粘结层以及牺牲层，该粘结层与该牺牲层的材质相异，该粘结层及该牺牲层都与该表面直接相接。
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公开(公告)号：CN107968066B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201711391835.4
申请日：2013-07-29
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/62 , H01L33/00
摘要： 本发明公开一种半导体结构，其包含：基板，具有第一表面；第一半导体外延叠层，位于该第一表面上且具有相对于该第一表面的第二表面；以及粘结结构，位于该第一表面与该第一半导体外延叠层之间，与该第一半导体外延叠层以及该基板直接接触；其中，该粘结结构包含粘结层以及牺牲层，且该粘结层或该牺牲层与该第一半导体外延叠层直接相接。
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公开(公告)号：CN104124329B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201410172042.3
申请日：2014-04-25
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/60
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/405
摘要： 本发明公开一种发光二极管装置，包含：一发光叠层包含一第一型半导体层，一第二型半导体层，及一活性层形在第一型半导体层与第二型半导体层间且发出一光线；以及一反射结构形成于第一型半导体层上并具有一第一界面与一第二界面；其中，光线于第一界面所产生的全反射角大于光线于第二界面所产生的全反射角；及其中，反射结构与第一型半导体层于第一界面形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN105359282A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201380077951.2
申请日：2013-07-29
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L33/62 , H01L2221/68318 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2933/0066
摘要： 一种选择性分离半导体元件的方法，包含下列步骤：a.提供一基板(101)具有第一表面(1011)及第二表面；b.提供多个半导体外延叠层位于第一表面(1011)上，其中任一多个半导体外延叠层包含第一半导体外延叠层(31)与第二半导体外延叠层(32)，且第二半导体外延叠层(32)与第一半导体外延叠层(31)隔开，其中第一半导体外延叠层(31)与基板(101)之间的粘着力不同于第二半导体外延叠层(32)与基板(101)之间的粘着力；c.自基板(101)选择性地分离第一半导体外延叠层(31)或第二半导体外延叠层(32)。
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公开(公告)号：CN108269908A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810158996.7
申请日：2014-04-25
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/60
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/405
摘要： 本发明公开一种发光二极管装置，包含：一发光叠层，包含一第一型半导体层，一第二型半导体层，及一活性层形成在该第一型半导体层与该第二型半导体层间且发出一光线；一反射结构，形成于该第一型半导体层上并具有第一界面与第二界面，其中，该光线于该第一界面所产生的全反射角大于该光线于该第二界面所产生的全反射角；以及一结合层包覆该反射结构并与该第一型半导体层相接触；其中，该反射结构与该第一型半导体层于该第一界面形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN105359282B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201380077951.2
申请日：2013-07-29
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L33/62 , H01L2221/68318 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2933/0066
摘要： 一种选择性分离半导体元件的方法，包含下列步骤：a.提供一基板(101)具有第一表面(1011)及第二表面；b.提供多个半导体外延叠层位于第一表面(1011)上，其中任一多个半导体外延叠层包含第一半导体外延叠层(31)与第二半导体外延叠层(32)，且第二半导体外延叠层(32)与第一半导体外延叠层(31)隔开，其中第一半导体外延叠层(31)与基板(101)之间的粘着力不同于第二半导体外延叠层(32)与基板(101)之间的粘着力；c.自基板(101)选择性地分离第一半导体外延叠层(31)或第二半导体外延叠层(32)。
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公开(公告)号：CN104124329A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410172042.3
申请日：2014-04-25
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/60
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/405
摘要： 本发明公开一种发光二极管装置，包含：一发光叠层包含一第一型半导体层，一第二型半导体层，及一活性层形在第一型半导体层与第二型半导体层间且发出一光线；以及一反射结构形成于第一型半导体层上并具有一第一界面与一第二界面；其中，光线于第一界面所产生的全反射角大于光线于第二界面所产生的全反射角；及其中，反射结构与第一型半导体层于第一界面形成欧姆接触。
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