公开(公告)号：CN109119520B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201810843513.7

申请日：2014-11-27

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 林坤德 ,  陈怡名 ,  詹燿宁 ,  徐子杰 ,  吕志强 ,  林俊宇 ,  杨宗宪

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/46

摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一侧边、一第一表面、及一相对于第一表面的第二表面，其中半导体叠层还包含一导通孔从第一表面往第二表面延伸；一透明导电层位于第二表面上；一第一焊接部及一第二焊接部位于第一表面上，并与半导体叠层电连接；以及一绝缘层位于第一焊接部与半导体叠层之间及第二焊接部与半导体叠层之间。

公开(公告)号：CN108447855B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201810510295.5

申请日：2012-11-12

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 林俊宇 ,  倪庆怀 ,  陈怡名

IPC分类号： H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

摘要： 本发明公开一种半导体光电元件的制作方法，其包含提供一第一基板、形成一第一半导体外延叠层及一第二半导体外延叠层于第一基板上、提供一第二基板、转移第二半导体外延叠层至第二基板上、切割第一基板以形成一第一半导体光电元件包含上述第一半导体外延叠层、以及切割第二基板以形成一第二半导体光电元件包含上述第二半导体外延叠层。

公开(公告)号：CN108963043A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810460633.9

申请日：2018-05-15

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 高慧芳 ,  陈怡名 ,  李世昌 ,  吕志强

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/10 ,  H01L33/42 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

摘要： 本发明公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具一第一侧壁，一第二侧壁相对于该第一侧壁，一出光表面以及一接触表面相对于该出光表面，该第一侧壁与该第二侧壁连接该出光表面以及该接触表面；一电极具有一宽度，该电极位于该出光表面上且与该第一侧壁之间的直线距离不大于约50μm；以及一绝缘层位于该接触表面上，其中该绝缘层包含一孔隙，从半导体叠层的堆叠方向观之，该孔隙与该电极之间具有一直线距离大于该宽度。

公开(公告)号：CN104659176B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201310595821.X

申请日：2013-11-22

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 陈怡名 ,  杨宗宪

IPC分类号： H01L33/38

摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体迭层具有一第一表面，其中第一表面包含多个突出部与多个凹部；一第一电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一第二电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一透明导电层共形地覆盖第一表面，且位于第一电极与半导体叠层之间，其中第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，第一延伸部位于第一焊接部与透明导电层之间，且共形地覆盖透明导电层。

公开(公告)号：CN104681702B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201410704314.X

申请日：2014-11-27

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 林坤德 ,  陈怡名 ,  詹燿宁 ,  徐子杰 ,  吕志强 ,  林俊宇 ,  杨宗宪

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/48

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/46

摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一侧边、一第一表面、及一相对于第一表面的第二表面，其中半导体叠层还包含一导通孔从第一表面往第二表面延伸；一透明导电层位于第二表面上；一第一焊接部及一第二焊接部位于第一表面上，并与半导体叠层电连接；以及一绝缘层位于第一焊接部与半导体叠层之间及第二焊接部与半导体叠层之间。

公开(公告)号：CN103996761B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410046186.4

申请日：2014-02-10

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 杨宗宪 ,  徐子杰 ,  陈怡名 ,  赖易堂 ,  杨治政 ,  魏志伟 ,  陈庆升 ,  陈世益 ,  许嘉良 ,  许晏铭

IPC分类号： H01L33/02

摘要： 本发明公开一种发光元件，包含一透明基板；至少一半导体发光叠层位于透明基板上，其中半导体发光叠层包含靠近透明基板的一第一半导体层、远离透明基板的一第二半导体层，及位于第一半导体层与第二半导体层之间的一发光层，其中发光层可发出一光线；及一接合层位于透明基板与半导体发光叠层之间，该接合层包含靠近该第一半导体层的第一接合层，其中该第一半导体层具有第一折射率n1，该透明基板具有第二折射率n2，该第一接合层具有折射率nb1，并且各该折射率满足以下关系式:(n1*n2)1/2+0.3≥nb1≥(n1*n2)1/2‑0.3。

公开(公告)号：CN104798175B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201380059691.6

申请日：2013-07-03

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 林俊宇 ,  倪庆怀 ,  陈怡名 ,  徐子杰 ,  邱新智 ,  吕志强 ,  林敬倍

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L21/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体发光元件的制作方法及半导体发光元件。该方法包含：提供第一基板(20)；提供半导体外延叠层(110)；提供第一粘着层(135)连接第一基板(20)及半导体外延叠层(110)；图案化半导体外延叠层(110)为多个外延单元并使彼此自第一基板(20)上分离；提供第二基板(30)，具有一表面；转移上述多个第二外延单元至第二基板(30)的表面上；切割第一基板(20)以形成多个第一半导体发光元件以及切割第二基板(30)以形成多个第二半导体发光元件。多个外延单元包含多个第一外延单元(201)和多个第二外延单元(202)。每一第一外延单元(201)具有第一几何形状及第一面积，每一第二外延单元(202)具有第二几何形状及第二面积。第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。

公开(公告)号：CN102738344B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210110378.8

申请日：2012-04-13

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 陈怡名 ,  谢明勋 ,  许嘉良

IPC分类号： H01L33/38

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一发光装置，其具有一第一电极；一发光叠层位于第一电极之上；一第一接触层位于发光叠层之上，其中第一接触层具有一第一接触链以及多个第一接触线与第一接触链连接；一第一导电柱位于发光叠层之中，且电连接第一电极与第一接触层；以及一保护层介于第一导电柱与发光叠层之间。

公开(公告)号：CN103199160B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310054892.9

申请日：2010-01-13

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 陈怡名 ,  徐子杰 ,  陈吉兴 ,  王心盈

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 一种发光二极管的形成方法，包含提供成长基板，依序形成牺牲层及外延层于成长基板上；形成一或数个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；形成支撑层于外延层上，支撑层具有一或数个支撑层开口穿透支撑层而连通多个外延层开口；及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。

公开(公告)号：CN101626000B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN200810136131.7

申请日：2008-07-10

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 林锦源 ,  许嘉良 ,  黄建富 ,  陈怡名 ,  苏英阳

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/48 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

摘要： 本发明公开了一种金属阵列基板、具有其的高热传导性光电元件和发光元件及其制作方法。金属阵列基板包含多个金属单元基板及位于金属单元基板间具有粘着功能的胶体物质。高热传导性光电元件包含金属单元基板，位于金属单元基板之上的接合层及位于接合层之上的外延结构。