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    半导体元件
    1.
    发明授权
    半导体元件 有权

    公开(公告)号：CN108879319B

    公开(公告)日：2022-08-19

    申请号：CN201810436344.5

    申请日：2018-05-09

    申请人： 晶元光电股份有限公司

    发明人： 徐子杰 ,  黄意雯 ,  陈守龙 ,  陈新纲

    IPC分类号： H01S5/042 ,  H01S5/183

    摘要： 本发明公开一种半导体元件，其包含︰基板；半导体叠层，位于基板上且包含第一反射结构、第二反射结构以及位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中半导体叠层包含第一表面以及相对于第一表面的第二表面；凹槽，形成于半导体叠层内；第一电极，位于第一表面且与第一反射结构电连接；第二电极，位于第一表面且与第二反射结构电连接；以及导电层，填入该凹槽内；其中，共振腔区域可发射一辐射，且辐射自基板逸散至该半导体元件之外。

    发光元件
    6.
    发明授权
    发光元件 有权

    公开(公告)号：CN103996761B

    公开(公告)日：2018-04-10

    申请号：CN201410046186.4

    申请日：2014-02-10

    申请人： 晶元光电股份有限公司

    发明人： 杨宗宪 ,  徐子杰 ,  陈怡名 ,  赖易堂 ,  杨治政 ,  魏志伟 ,  陈庆升 ,  陈世益 ,  许嘉良 ,  许晏铭

    IPC分类号： H01L33/02

    摘要： 本发明公开一种发光元件，包含一透明基板；至少一半导体发光叠层位于透明基板上，其中半导体发光叠层包含靠近透明基板的一第一半导体层、远离透明基板的一第二半导体层，及位于第一半导体层与第二半导体层之间的一发光层，其中发光层可发出一光线；及一接合层位于透明基板与半导体发光叠层之间，该接合层包含靠近该第一半导体层的第一接合层，其中该第一半导体层具有第一折射率n1，该透明基板具有第二折射率n2，该第一接合层具有折射率nb1，并且各该折射率满足以下关系式:(n1*n2)1/2+0.3≥nb1≥(n1*n2)1/2‑0.3。

    半导体元件结构与其分离方法
    9.
    发明授权
    半导体元件结构与其分离方法 有权

    公开(公告)号：CN102891221B

    公开(公告)日：2016-12-14

    申请号：CN201110202905.3

    申请日：2011-07-20

    申请人： 晶元光电股份有限公司

    发明人： 陈世益 ,  林敬倍 ,  徐子杰 ,  许嘉良

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/22

    摘要： 本发明公开一种半导体元件结构的分离方法，包括提供基板，具有第一表面与相对于第一表面的第二表面；形成多个间隔的半导体外延叠层于第一表面上；形成图案化光致抗蚀剂层覆盖基板相对于上述间隔的半导体外延叠层的第二表面；以物理方式沿着第二表面未被图案化光致抗蚀剂层覆盖的部分侵蚀并裂开基板；以及分离上述间隔的半导体外延叠层以形成多个半导体元件结构。