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公开(公告)号：CN110223722A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910606026.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了获取数据接口门限电压的方法及系统，属于通信技术领域。通过对信号眼图进行扫描，提取符合预设范围的有效电压对，再根据有效电压对计算数据接口的门限电压，从而可避免信号眼图中“消顶”(或“消底”)的电压对的干扰，保证了经计算后的有效门限电压的准确性，进而更为精准的了解数据接口的信号幅度、jitter抖动、信号采样的稳定度和可靠度以及抗干扰噪声能力等特性，对数据接口性能进行准确判断。
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公开(公告)号：CN115145863A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110343483.5
申请日：2021-03-30
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
Abstract: 片上系统、内存参考电压的调整方法及存储介质，所述片上系统适于通过分压模块与内存耦接，其中，所述分压模块的分压端与所述内存的参考电压端耦接，所述片上系统包括：控制模块和脉宽调制模块，其中：所述控制模块，适于获取所述内存的参考电压值、所述片上系统的接口电源电压值以及所述分压模块的分压参数，并根据所述内存参考电压值、所述接口电源电压值和所述分压模块的分压参数，输出对应的脉宽调制控制信号至所述脉宽调制模块；所述脉宽调制模块，与所述分压模块耦接，适于根据所述脉宽调制控制信号得到相应的输出电压。采用上述方案能够为不同类型的内存自适应的提供合适的参考电压。
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公开(公告)号：CN109828878A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910108386.0
申请日：2019-01-18
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了存储模块的测试方法、主板中存储单元的测试方法及装置，属于存储设备技术领域。在训练存储模块时，通过识别存储模块是否通过训练，可初步判断存储模块是否存在异常，对于无法通过训练存储模块可采用维修参数集合设置存储模块，以使存储模块进行检测，避免主板因存储模块异常进入死机状态无法检测，通过检测结果可精准的定位出存储模块的故障问题，提供了检测的效率，缩短了检测时间。对于主板的存储单元中包括多个存储模块时，可逐个对每个存储模块依次进行检测，防止了因某一个存储模块存在故障至少主板死机，无法准确定位故障存储模块及该故障存储模块的故障数据线的问题。
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公开(公告)号：CN110109785B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201910305939.1
申请日：2019-04-16
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: G06F11/22
Abstract: 本发明公开了内存容量获取方法、装置、计算机设备及可读存储介质，属于内存容量检测领域。本发明通过将两个不同的数据分别写入内存的首地址位和预测末地址位，根据邻近的两个预测末地址位中的数据与首地址位中数据相同是否相同确认内存的末地址位(即：首地址位的数据是否被改写)，从而实现了快速准确识别内存容量的目的。
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公开(公告)号：CN115206367A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110377313.9
申请日：2021-04-08
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: G11C11/406 , G11C29/08
Abstract: 对存储模块进行ZQ校准的方法、校准装置及数据处理系统，其中，所述存储模块包括至少一个存储单元，所述对存储模块进行ZQ校准的方法包括：获取所述存储单元的运行状态；当根据所述运行状态确定所述存储单元处于主动刷新状态时，向所述存储单元发送ZQ校准指令，使得所述存储单元执行ZQ校准操作。采用上述ZQ校准方法，能够提高带宽资源的利用效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111352504B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201911359003.3
申请日：2019-12-25
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了内存接口时序分析方法及系统，属于通信技术领域。本发明内存接口时序分析方法及系统可依据内存接口对应的标准眼高确定步进偏移值；从而根据步进偏移值将第一信号眼图向上、向下平移，将经平移调整后的信号眼图叠加，进而获取重叠区域的第二信号眼图，从而确定内存接口的最佳位置信息，实现自适应不同的眼图，准确获取内存接口的最佳位置信息(最佳设定参数)的目的。
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公开(公告)号：CN109828878B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201910108386.0
申请日：2019-01-18
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了存储模块的测试方法、主板中存储单元的测试方法及装置，属于存储设备技术领域。在训练存储模块时，通过识别存储模块是否通过训练，可初步判断存储模块是否存在异常，对于无法通过训练存储模块可采用维修参数集合设置存储模块，以使存储模块进行检测，避免主板因存储模块异常进入死机状态无法检测，通过检测结果可精准的定位出存储模块的故障问题，提供了检测的效率，缩短了检测时间。对于主板的存储单元中包括多个存储模块时，可逐个对每个存储模块依次进行检测，防止了因某一个存储模块存在故障至少主板死机，无法准确定位故障存储模块及该故障存储模块的故障数据线的问题。
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公开(公告)号：CN111190540A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911359007.1
申请日：2019-12-25
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了内存接口写入均衡的控制方法及装置，属于通信技术领域。本发明的内存接口写入均衡的控制方法及装置，在控制采样信号以预设延时步进发送至内存装置的过程中，基于每一延时步进对应的采样信号的有效电平，生成第一预设长度的采样信息；对采样信息进行分析，根据采样信息中有效电平之和最大的区域位置确定采样信号的写入均衡相位值，从而屏蔽在采样过程中因抖动、噪声等干扰造成的采样错误，进而确定采样信号的最佳延时位置，自适应性强。
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公开(公告)号：CN110109785A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910305939.1
申请日：2019-04-16
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: G06F11/22
Abstract: 本发明公开了内存容量获取方法、装置、计算机设备及可读存储介质，属于内存容量检测领域。本发明通过将两个不同的数据分别写入内存的首地址位和预测末地址位，根据邻近的两个预测末地址位中的数据与首地址位中数据相同是否相同确认内存的末地址位(即：首地址位的数据是否被改写)，从而实现了快速准确识别内存容量的目的。
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公开(公告)号：CN108010558A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711218058.3
申请日：2017-11-28
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器的信号完整性测试方法，包括：步骤S1，采用固定的写的延时以及参考比较电压，以及循环调整的读的延时值和比较电压值的组合策略对动态随机存储器进行多次读写操作；步骤S2，记录动态随机存储器响应每次读写操作的每个测试结果；步骤S3，根据所有测试结果，分析得到会影响测试结果延时值和比较电压值的分别的数值边界；步骤S4，根据分别的数值边界，制作一二维数字眼图，二维数字眼图具有表示延时值的水平方向坐标以及表示比较电压值的垂直方向坐标；上述技术方案不需要设置测试探头和示波器，就能够对动态随机存储器信号读取方向信号完整性进行测试，测试效率高，信号覆盖面大。
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