太阳能电池及其制作方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN116960222A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310934197.5

    申请日:2023-07-26

    Abstract: 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件,其中,太阳能电池的制作方法包括:提供衬底;形成隧穿层;形成半导体层;进行掺杂处理,将半导体层转换为掺杂导电层,掺杂处理包括:依次进行的沉积步骤、第一升温步骤、推进步骤、第一降温步骤、第二升温步骤、恒温步骤以及第二降温步骤;沉积步骤用于在半导体层上形成掺杂源层;第一升温步骤用于升温至第一预设温度;推进步骤,使掺杂处理的工艺温度保持为第一预设温度;第一降温步骤用于降温至第二预设温度;第二升温步骤,以将掺杂处理的工艺温度升至第三预设温度;恒温步骤使掺杂处理的工艺温度保持为第三预设温度。可以提高形成的太阳能电池的性能。

    太阳能电池及光伏组件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116913988A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310855413.7

    申请日:2023-07-12

    Abstract: 本申请实施例涉及一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括:基底;栅线,所述栅线位于所述基底的表面上,所述栅线包括沿第一方向间隔排布的副栅和沿第二方向间隔排布的主栅;辅助传输结构,所述辅助传输结构包括载流子传输线和载流子收集线,所述载流子收集线位于所述基底表面的布线区中,所述载流子传输线将所述载流子收集线与相邻的至少一个所述副栅电连接;其中,所述布线区为两个相邻所述主栅与位于两个相邻所述主栅之间的任意两个相邻所述副栅围成的区域。至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率和良率,降低太阳能电池的制备成本。

    太阳能电池及其制备方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN116666478A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310402802.4

    申请日:2023-04-10

    Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,太阳能电池包括:半导体衬底,半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面;设置在半导体衬底的第二表面的隧穿层、掺杂导电层和硅氧掺杂层,硅氧掺杂层对应于金属化区域,掺杂导电层的厚度为30nm~100nm;位于掺杂导电层表面的第二钝化层,第二钝化层覆盖硅氧掺杂层和非金属化区域的掺杂导电层;设置在半导体衬底的第一表面的第一钝化层,穿过第一钝化层与半导体衬底形成电连接的第一电极;穿过第二钝化层、硅氧掺杂层与掺杂导电层形成电连接的第二电极。本申请局域化硅氧掺杂层设计,能够减薄电池背面膜层的厚度,降低电池背面吸光效应的同时使得电池背面的复合电流密度较低,提升电池总体光电转换效率。

    太阳能电池及其制备方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN119092571A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411148014.8

    申请日:2024-08-20

    Abstract: 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,太阳能电池包括:对同一整片太阳能电池沿第一方向进行分割处理后形成的分片电池,整片太阳能电池具有沿第二方向相对设置的正面和背面,分片电池具有沿第二方向相对设置的子正面和子背面,基于同一整片太阳能电池形成的至少两个分片电池的子正面为正面的部分区域,基于同一整片太阳能电池形成的至少两个分片电池的子背面为背面的部分区域;其中,分片电池具有经由分割处理而形成的断面,断面和子背面所在的平面之间形成互为补角的两个夹角,其中一个夹角为锐角;钝化层,至少位于断面上。本公开实施例至少有利于提高包含分片电池的太阳能电池的光电转换效率。

    太阳能电池及太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN117153903B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202311404075.1

    申请日:2023-10-26

    Abstract: 本申请实施例提供一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法,太阳能电池包括:基底,基底包括相对的第一面和第二面,第一面包括金属接触区和非金属接触区;隧穿层,位于第一面,金属接触区对应的隧穿层的厚度小于非金属接触区对应的隧穿层的厚度,且金属接触区对应的隧穿层内具有多个第一微孔,金属接触区对应的隧穿层背离第一面的表面附着有颗粒物,颗粒物的材料与隧穿层的材料不同;掺杂导电层,位于隧穿层背离基底的表面,并覆盖颗粒物,掺杂导电层内掺杂有第一掺杂元素;电极,与金属接触区对应的掺杂导电层接触。本申请实施例至少有利于提高形成的太阳能电池的光电转换效率。

    太阳能电池及太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN117153903A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311404075.1

    申请日:2023-10-26

    Abstract: 本申请实施例提供一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法,太阳能电池包括:基底,基底包括相对的第一面和第二面,第一面包括金属接触区和非金属接触区;隧穿层,位于第一面,金属接触区对应的隧穿层的厚度小于非金属接触区对应的隧穿层的厚度,且金属接触区对应的隧穿层内具有多个第一微孔,金属接触区对应的隧穿层背离第一面的表面附着有颗粒物,颗粒物的材料与隧穿层的材料不同;掺杂导电层,位于隧穿层背离基底的表面,并覆盖颗粒物,掺杂导电层内掺杂有第一掺杂元素;电极,与金属接触区对应的掺杂导电层接触。本申请实施例至少有利于提高形成的太阳能电池的光电转换效率。

    太阳能电池和光伏组件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115985975A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202310107821.4

    申请日:2023-02-02

    Abstract: 本发明公开了太阳能电池和光伏组件,该太阳能电池包括硅基底、第一电极和第二电极;所述硅基底的其中一面沿远离所述硅基底方向设置有隧穿氧化层,所述隧穿氧化层远离所述硅基底一侧设置有至少两层掺杂多晶硅层,相邻所述掺杂多晶硅层之间设置有阻挡层,多条所述第一电极电连接至不同的所述掺杂多晶硅层。本发明不仅能够降低多晶硅层总厚度,较薄的多晶硅层可以降低寄生吸收,从而提高短路电流,而且通过阻挡层阻挡浆料烧穿隧穿氧化层的风险,同时减少金属复合,从而提高太阳能电池的开路电压,进而提升太阳能电池的光电转换效率。

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