公开(公告)号：CN109841703A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201910091054.6

申请日：2019-01-30

申请人： 暨南大学

发明人： 赵传熙 ,  麦文杰 ,  岑国标

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明公开了一种高稳定、低暗电流全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法。所述倒置结构光电探测器包括透明导电正电极、超薄氧化铝层、全无机钙钛矿光吸收层、电子传输层、金属负电极。所述制备方法是采用ALD沉积超薄氧化铝薄膜和氧化钛薄膜，制得器件暗电流低、稳定性高，器件暴露空气超过100天仍然表现出良好的光电性能。在钙钛矿与金属电极界面引入超薄氧化钛薄膜，实现界面能带匹配，提高器件了响应速度和灵敏度。本发明制备方法适用于柔性探测器制作，为实现无机钙钛矿光电探测器及其柔性器件产业化，提供一种有效、可行、低成本的方案。

公开(公告)号：CN110797435A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910981438.5

申请日：2019-10-16

申请人： 暨南大学

发明人： 赵传熙 ,  麦文杰 ,  岑国标 ,  赵志娟

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032

摘要： 本发明属于新型半导体材料制备及器件技术领域，具体公开了一种组分可调无机钙钛矿薄膜及其低温制备方法和器件应用。步骤如下：将CsX以及AB溶于有机溶剂中，搅拌均匀得到前驱体溶液；将所得前驱体旋涂在导电基底上；再将制膜进行退火处理，随后将样品转至原子沉积系统进行离子交换反应，得到组分精准可调的无机钙钛矿光电薄膜，并成功应用于光伏器件中。本发明方法解决了传统溶解度低问题，提高了薄膜均匀性致密性，且采用原子层沉积温度远低于200℃，不仅适用于硬质基底也适用于柔性基底，更利于实现无机钙钛矿卤族元素配比精准调控；此外前驱体均为无机物，解决了薄膜导电性差的问题，对无机钙钛矿薄膜制备及器件应用有重要意义。

公开(公告)号：CN109841703B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201910091054.6

申请日：2019-01-30

申请人： 暨南大学

发明人： 赵传熙 ,  麦文杰 ,  岑国标

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明公开了一种全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法。所述倒置结构光电探测器包括透明导电正电极、超薄氧化铝层、全无机钙钛矿光吸收层、电子传输层、金属负电极。所述制备方法是采用ALD沉积超薄氧化铝薄膜和氧化钛薄膜，制得器件暗电流低、稳定性高，器件暴露空气超过100天仍然表现出良好的光电性能。在钙钛矿与金属电极界面引入超薄氧化钛薄膜，实现界面能带匹配，提高器件了响应速度和灵敏度。本发明制备方法适用于柔性探测器制作，为实现无机钙钛矿光电探测器及其柔性器件产业化，提供一种有效、可行、低成本的方案。

公开(公告)号：CN110797435B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201910981438.5

申请日：2019-10-16

申请人： 暨南大学

发明人： 赵传熙 ,  麦文杰 ,  岑国标 ,  赵志娟

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032

摘要： 本发明属于新型半导体材料制备及器件技术领域，具体公开了一种组分可调无机钙钛矿薄膜及其低温制备方法和器件应用。步骤如下：将CsX以及AB溶于有机溶剂中，搅拌均匀得到前驱体溶液；将所得前驱体旋涂在导电基底上；再将制膜进行退火处理，随后将样品转至原子沉积系统进行离子交换反应，得到组分精准可调的无机钙钛矿光电薄膜，并成功应用于光伏器件中。本发明方法解决了传统溶解度低问题，提高了薄膜均匀性致密性，且采用原子层沉积温度远低于200℃，不仅适用于硬质基底也适用于柔性基底，更利于实现无机钙钛矿卤族元素配比精准调控；此外前驱体均为无机物，解决了薄膜导电性差的问题，对无机钙钛矿薄膜制备及器件应用有重要意义。