公开(公告)号：CN117758088A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311745746.0

申请日：2023-12-18

申请人： 有研亿金新材料有限公司 ,  有研亿金新材料(山东)有限公司

发明人： 贾倩 ,  王兴权 ,  范宁 ,  李利利 ,  丁照崇 ,  蔺心宇 ,  何金江 ,  罗俊锋

IPC分类号： C22C1/02 ,  C22C1/04 ,  C22C27/04 ,  B22F3/14 ,  B22F1/065 ,  B22F9/08 ,  C23C14/35

摘要： 本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域，公开了一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材及其制备方法。所述钼硅合金靶材，以钼块和硅块为原料，先通过熔炼的方式获得高纯度无偏析低氧的Mo3Si合金铸锭，经酸洗后使用无坩埚雾化制粉的方式，筛分制备高纯低氧的球形Mo3Si合金粉末。最后与Mo粉进行混合进行真空热压烧结，获得Si含量≤25wt％，尺寸≥300mm，纯度≥4N，致密度≥99.5％，平均晶粒尺寸≤20μm，整体靶面Si含量成分波动≤±0.5wt％，氧含量≤100ppm的高纯钼硅合金靶材。

公开(公告)号：CN118028748A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311811572.3

申请日：2023-12-27

申请人： 有研亿金新材料有限公司 ,  有研亿金新材料(山东)有限公司

发明人： 贾倩 ,  何金江 ,  蔺心宇 ,  范宁 ,  丁照崇 ,  王兴权 ,  李利利 ,  罗俊锋

IPC分类号： C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24

摘要： 本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域，尤其涉及一种钨靶材及其制备方法和应用，以粒度为0.1‑0.5μm及5‑10μm的高纯钨粉为原料，通过真空热压烧结的方式获得相对密度为95‑97％的预成型钨靶坯，再通过热等静压的方式热等静压致密化处理，获得最下层厚度为0.5‑2mm的晶粒尺寸≤10μm、其余部分晶粒尺寸≥100μm的高纯钨靶坯。细晶粒区域经过机加工后与Al中间层及Cu合金背板进行焊接，最终可获得焊接强度≥80MPa，溅射区域晶粒尺寸≥100μm的钨靶材。采用本发明所述方法制备得到的钨靶材，细晶粒区与背板进行焊接可获得高焊接强度的焊接组件，粗晶粒区作为溅射区域使用，可满足钨薄膜低电阻率要求。