公开(公告)号：CN105220116B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201510292827.9

申请日：2015-05-28

Applicant: 有限会社渊田纳米技研

Inventor： 渊田英嗣 ,  时崎荣治 ,  小泽英一

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  B05D1/007 ,  B05D1/06 ,  B05D1/12 ,  C09D5/00 ,  C23C24/02 ,  H01J37/3411

Abstract: 本发明提供能够提高形成的膜的致密性和附着性，形成即使在薄膜状态下也具有高绝缘耐压性的绝缘膜的成膜方法、成膜装置和结构体。本发明一个实施方式的成膜方法通过向容纳有电绝缘性原料粒子的封闭容器导入气体，生成上述原料粒子的气溶胶，经由与上述封闭容器连接的输送管，向与上述封闭容器相比维持在低压的成膜室输送上述气溶胶，从装配在上述输送管的前端的喷嘴向设置在上述成膜室中的靶喷射上述气溶胶，通过使上述原料粒子与上述靶碰撞，使上述原料粒子带正电，通过带电的上述原料粒子放电，生成上述原料粒子的微细粒子，使上述微细粒子堆积在设置在上述成膜室中的基材上。

公开(公告)号：CN105220116A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510292827.9

申请日：2015-05-28

Applicant: 有限会社渊田纳米技研

Inventor： 渊田英嗣 ,  时崎荣治 ,  小泽英一

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  B05D1/007 ,  B05D1/06 ,  B05D1/12 ,  C09D5/00 ,  C23C24/02 ,  H01J37/3411

Abstract: 本发明提供能够提高形成的膜的致密性和附着性，形成即使在薄膜状态下也具有高绝缘耐压性的绝缘膜的成膜方法、成膜装置和结构体。本发明一个实施方式的成膜方法通过向容纳有电绝缘性原料粒子的封闭容器导入气体，生成上述原料粒子的气溶胶，经由与上述封闭容器连接的输送管，向与上述封闭容器相比维持在低压的成膜室输送上述气溶胶，从装配在上述输送管的前端的喷嘴向设置在上述成膜室中的靶喷射上述气溶胶，通过使上述原料粒子与上述靶碰撞，使上述原料粒子带正电，通过带电的上述原料粒子放电，生成上述原料粒子的微细粒子，使上述微细粒子堆积在设置在上述成膜室中的基材上。