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公开(公告)号：CN105220116A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510292827.9
申请日：2015-05-28
Applicant: 有限会社渊田纳米技研
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , B05D1/007 , B05D1/06 , B05D1/12 , C09D5/00 , C23C24/02 , H01J37/3411
Abstract: 本发明提供能够提高形成的膜的致密性和附着性，形成即使在薄膜状态下也具有高绝缘耐压性的绝缘膜的成膜方法、成膜装置和结构体。本发明一个实施方式的成膜方法通过向容纳有电绝缘性原料粒子的封闭容器导入气体，生成上述原料粒子的气溶胶，经由与上述封闭容器连接的输送管，向与上述封闭容器相比维持在低压的成膜室输送上述气溶胶，从装配在上述输送管的前端的喷嘴向设置在上述成膜室中的靶喷射上述气溶胶，通过使上述原料粒子与上述靶碰撞，使上述原料粒子带正电，通过带电的上述原料粒子放电，生成上述原料粒子的微细粒子，使上述微细粒子堆积在设置在上述成膜室中的基材上。
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公开(公告)号：CN102428212A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080019886.4
申请日：2010-01-21
Applicant: 有限会社渊田纳米技研
Inventor： 渊田英嗣
CPC classification number: C23C24/04
Abstract: 本发明提供一种氧化锆膜的成膜方法，该方法通过气溶胶化气相沉积法能够得到良好膜质。通过气溶胶化气相沉积法形成氧化锆膜的成膜方法中，将氧化锆微粒(P)存放于密闭容器(2)中，所述氧化锆微粒的平均粒径取值范围为0.7μm-11μm，比表面积的取值范围为1m2/g-7m2/g；通过向所述密闭容器(2)中导入气体来生成氧化锆微粒(P)的气溶胶(A)，通过连接于密闭容器(2)的输送管(6)将气溶胶(A)输送至保持压力低于密闭容器(2)的成膜室(3)中，并且，使氧化锆微粒(P)堆积在存放于成膜室(3)中的基体材料(S)上。使用满足所述条件的氧化锆微粒可以形成细密的、与基体材料之间粘着力高的氧化锆薄膜。
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公开(公告)号：CN105220116B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510292827.9
申请日：2015-05-28
Applicant: 有限会社渊田纳米技研
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34 , B05D1/007 , B05D1/06 , B05D1/12 , C09D5/00 , C23C24/02 , H01J37/3411
Abstract: 本发明提供能够提高形成的膜的致密性和附着性，形成即使在薄膜状态下也具有高绝缘耐压性的绝缘膜的成膜方法、成膜装置和结构体。本发明一个实施方式的成膜方法通过向容纳有电绝缘性原料粒子的封闭容器导入气体，生成上述原料粒子的气溶胶，经由与上述封闭容器连接的输送管，向与上述封闭容器相比维持在低压的成膜室输送上述气溶胶，从装配在上述输送管的前端的喷嘴向设置在上述成膜室中的靶喷射上述气溶胶，通过使上述原料粒子与上述靶碰撞，使上述原料粒子带正电，通过带电的上述原料粒子放电，生成上述原料粒子的微细粒子，使上述微细粒子堆积在设置在上述成膜室中的基材上。
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公开(公告)号：CN102428212B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201080019886.4
申请日：2010-01-21
Applicant: 有限会社渊田纳米技研
Inventor： 渊田英嗣
CPC classification number: C23C24/04
Abstract: 本发明提供一种氧化锆膜的成膜方法，该方法通过气溶胶化气相沉积法能够得到良好膜质。通过气溶胶化气相沉积法形成氧化锆膜的成膜方法中，将氧化锆微粒(P)存放于密闭容器(2)中，所述氧化锆微粒的平均粒径取值范围为0.7μm-11μm，比表面积的取值范围为1m2/g-7m2/g；通过向所述密闭容器(2)中导入气体来生成氧化锆微粒(P)的气溶胶(A)，通过连接于密闭容器(2)的输送管(6)将气溶胶(A)输送至保持压力低于密闭容器(2)的成膜室(3)中，并且，使氧化锆微粒(P)堆积在存放于成膜室(3)中的基体材料(S)上。使用满足所述条件的氧化锆微粒可以形成细密的、与基体材料之间粘着力高的氧化锆薄膜。
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