公开(公告)号：CN102347210B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201110044283.6

申请日：2007-08-28

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 约翰·博伊德 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  班杰明·W·莫琳 ,  约翰·帕克斯 ,  威廉·蒂 ,  弗里茨·C·雷德克 ,  阿瑟·M·霍瓦尔德 ,  艾伦·舍普 ,  戴维·黑梅克 ,  卡尔·伍兹 ,  横硕·亚历山大·允 ,  亚历山大·奥夫恰雷斯

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/67184 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745

摘要： 本发明公开在衬底上进行填隙的方法。公开了一种用于在受控环境下填充衬底特征的方法，包括如下方法操作：在组合工具的第一腔室内在所述衬底上蚀刻一特征；在所述组合工具的第二腔室内沉积阻挡层，设置所述阻挡层以防止铜扩散入所述特征的暴露面；并且用直接沉积在所述阻挡层上方的填隙材料填充所述特征。还公开一种无需在衬底上应用籽晶层而执行填隙工艺的方法。