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公开(公告)号:CN119862728A
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202311368069.5
申请日:2023-10-20
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司 , 本源科仪(成都)科技有限公司
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06N10/40 , G06F119/18
Abstract: 本发明涉及量子计算机技术领域,具体涉及一种仿真半导体量子点器件的质量判断方法及装置,本发明通过仿真的方式模拟半导体量子点器件,然后,确定所述仿真半导体量子点器件的限制电势分布图对应的多个波函数,并构建多个所述波函数对应的波函数图像;通过确定仿真半导体量子点器件的限制电势所对应的波函数的状态对仿真半导体量子点器件是否能形成量子点进行判断,当仿真半导体量子点器件能形成量子点时,该仿真半导体量子点器件质量符合要求,可以依据该仿真半导体量子点器件进行生产,提高实际生产中半导体量子点器件的成品率,节约成本。
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公开(公告)号:CN119962700A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202311495713.5
申请日:2023-11-08
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司 , 本源科仪(成都)科技有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种量子点模型仿真方法、装置、电子设备及存储介质。方案如下:获取待仿真的量子点模型的器件参数,器件参数是根据量子点模型的模型设计参数确定的;基于器件参数,以及零温状态下电荷浓度的阶跃函数,确定量子点模型中每一位置在零温状态下对应的电势;基于量子点模型中每一位置在零温状态下对应的电势,对模型设计参数进行调整。通过本申请实施例提供的技术方案,降低了电荷浓度计算的难度和复杂度,从而提高了量子点模型中各个位置对应电势确定的效率,以及提高了量子点模型仿真效率。
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公开(公告)号:CN119886041A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202311397038.2
申请日:2023-10-25
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司 , 本源科仪(成都)科技有限公司
IPC: G06F30/398 , G06F30/392 , G06N10/40
Abstract: 本发明涉及量子计算机技术领域,具体涉及一种仿真半导体量子点器件的优化方法及装置,包括:固定所述第二量子点处电压,在预设电压阈值内遍历仿真半导体量子点器件中第一量子点处电压,得到第一能级变化曲线图;固定所述第一量子点处电压,在预设电压阈值内遍历所述仿真半导体量子点器件中所述第二量子点处电压,得到第二能级变化曲线图;基于能级变化曲线图对所述仿真量子点器件进行优化。本发明通过在QTCAD仿真系统中确定不同量子点不同电极电压下的能级变化曲线图实现量子点能级调控能力的判断,从而通过调整仿真半导体量子点器件的仿真参数间接调整量子点能级调控能力,以优化仿真半导体量子点器件。
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公开(公告)号:CN119990021A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202311519294.4
申请日:2023-11-13
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司 , 本源科仪(成都)科技有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F17/11 , G06N10/20
Abstract: 本申请实施例提供了一种模型仿真方法、装置、电子设备及存储介质。方案如下:基于待仿真模型的模型参数,获取待仿真模型中每一电子对应的波函数,待仿真模型为半导体量子芯片模型;针对待仿真模型中的第一电子和第二电子,根据第一电子对应的波函数,以及第一电子所在第一位置处的介电常数,确定与第一电子和第二电子关联的目标数据;根据目标数据以及第一电子对应的波函数,确定第一电子与第二电子库仑相互作用的目标系数;基于目标系数,调整模型参数。通过本申请实施例提供的技术方案,在半导体量子芯片模型仿真过程中确定了电子间库仑相互作用的目标系数,从而基于该目标系数实现半导体量子芯片模型的仿真。
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公开(公告)号:CN120009695A
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202311544067.7
申请日:2023-11-16
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微波器件插损值、热损耗的估算方法及装置,微波器件插损值的估算方法,包括:获取插损值与测量时间的第一对应关系,其中,所述插损值为所述微波器件从第一温度降低到第二温度过程中的插损值;依据所述第一对应关系以及测量时间与温度的预设关系,确定温度和插损值的第二对应关系;依据所述第二对应关系确定所述微波器件在目标温度时的插损值。采用本申请的方法估算微波器件在稀释制冷机中的插损值,只需给出微波器件在稀释制冷机中的温度,就可以估算微波器件在稀释制冷机中的插损值。
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公开(公告)号:CN119990349A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202510064192.0
申请日:2025-01-15
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种用于预测系统最优状态的量子电路构建方法及相关装置,该方法包括依次将哈达玛门作用于第一寄存器,将受第一寄存器虚控的第一组变分量子逻辑门作用于第二寄存器、第三寄存器和第四寄存器,将受第一寄存器实控的第二组变分量子逻辑门作用于第二寄存器、第三寄存器和第四寄存器,将受第一寄存器和第三寄存器实控的非门作用于第四寄存器,将哈达玛门作用于第一寄存器,得到目标量子电路,该目标量子电路用于根据第一寄存器的量子态的观测概率确定系统当前时刻的最优状态,本申请实施例公开了一种用于预测系统最优状态的具体量子电路,有利于实现系统最优状态的估计。
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公开(公告)号:CN119960865A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202311493487.7
申请日:2023-11-08
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本申请涉及量子计算机技术领域,具体涉及一种线路延时管理界面的操作方法、装置及电子设备,包括:响应第一显示操作,在所述线路延时管理界面显示线路关联表,所述线路关联表中每一个单元格中的数值表示对应一个第一通道与一个第二通道的通道关联关系,当所述数值为第一数值时,表示所述数值对应的第一通道与第二通道存在通道关联;当所述数值为第二数值时,表示所述数值对应的第一通道与第二通道不存在通道关联,所述线路关联表能直观展示不同第一通道、第二通道之间的关联关系,当某个通道改变时,能直观展示受该通道影响的其他通道,完整的展了第一通道、第二通道的延时时间,便于管理,提升对量子比特的操控效果。
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公开(公告)号:CN119918686A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202311438869.X
申请日:2023-10-31
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种量子芯片XY串扰矩阵的获取方法、装置以及量子计算机,基于串扰Ramsey实验的实验结果,获取待测量子芯片中量子比特之间的XY串扰系数,其中,所述串扰Ramsey实验为在第一量子比特对第二量子比特存在XY串扰时,对所述第二量子比特施加补偿信号并对所述第二量子比特执行Ramsey实验,获取所述第二量子比特处于第一选定本征态的概率随所述补偿信号参数的变化情况,所述第一量子比特、所述第二量子比特为所述待测量子芯片中任意两个量子比特。基于获取到的所述XY串扰系数,获取XY串扰矩阵。利用本申请的方案可以有效获取量子芯片的XY串扰矩阵,弥补了现有技术的空白。
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公开(公告)号:CN119903931A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202311404492.6
申请日:2023-10-26
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本申请涉及量子测控技术领域,具体涉及一种射频直出系统、量子测控系统和量子计算机,包括:DAC射频直出装置,所述DAC射频直出装置具有N个引脚;所述N个引脚存在至少两个电源域,所述至少两个电源域存在上电顺序的要求;第一级供电模块,用于提供第一供电信息;控制模块,用于提供实现上电顺序控制的使能信号,所述使能信号的种类与所述电源域的上电顺序一一对应;第二供电模块,用于基于所述使能信号和第一供电信息按照所述上电顺序要求给DAC射频直出装置的引脚提供上电信号,实现DAC射频直出装置的射频直接采样,在上电信号就绪后DAC射频直出装置输出满足量子比特工作需求的量子信号,同时实现量子测控系统的高集成度。
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公开(公告)号:CN119903929A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202311403908.2
申请日:2023-10-26
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本申请涉及量子测控技术领域,具体涉及一种量子比特控制信号生成装置、量子测控系统和量子计算机,包括:多个DAC模块;FPGA模块,用于存储和发送量子比特控制信号相关的量子信息到多个所述DAC模块;时钟信号产生模块,用于依据接收到的时钟源信号和同步脉冲信号输出第一级时钟信号、第一类同步时钟信号;时钟信号处理模块,用于对所述第一级时钟信号进行频率放大和频率多路输出,输出多路分别作用在多个所述DAC模块的第二级时钟信号;多个所述DAC模块基于所述量子信息、所述第二级时钟信号和所述第一类同步时钟信号生成满足量子比特工作需求的量子比特控制信号,以提高对量子比特控制信号的质量,进而提升对量子芯片中量子比特的控制效果。
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