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公开(公告)号：CN110527985A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910893199.8
申请日：2019-09-20
Applicant: 杨永亮
Abstract: 本发明公开了高密封性高度可调电极，主要涉及气相沉积技术领域。包括电极总成，所述电极总成包括电极盖板、绝缘体、锁紧环、电极架、电极冷却接口和电极体；还包括位移驱动装置总成；所述位移驱动装置总成包括外驱动件、内表面设置内螺纹的内从动轮、外护壳、与外护壳固定的支撑环、内部中空且外侧顶端设置外螺纹的传动管；所述外驱动件驱动内从动轮的转动，所述内从动轮的内螺纹与传动管顶端的外螺纹传动连接。本发明的有益效果在于：摒弃了现有的波纹管技术，采用新的技术实现电极的高度可调，而且解决了采用波纹管技术所带来的一系列不足，无需在设备上开固定孔、密封孔就可接入其他设备；而且增加了辐射泄露防护技术。
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公开(公告)号：CN110846616A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911311949.2
申请日：2019-12-18
Applicant: 杨永亮
Abstract: 本发明公开了用于硬质薄膜沉积的头罩模拟件及其调整装置，主要涉及硬质薄膜沉积技术领域。包括待镀膜头罩模拟件、调整底盘；所述调整底盘包括头罩支架和头罩圆环，所述待镀膜头罩模拟件的周底面与头罩支架的台阶顶面之间设有圆环状O形圈，所述待镀膜头罩模拟件的周侧面、头罩支架的台阶侧面、圆环状O形圈的外侧面与头罩圆环的内侧面相适配接触，所述头罩圆环的外侧弧面与待镀膜头罩模拟件的圆弧面之间形成连续的过渡。本发明的有益效果在于：能够实现待镀膜头罩模拟件与调整底盘之间的密封，避免反应物扩散到待镀膜头罩模拟件的内表面成膜，试验后发现，“衍射边”消失。
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公开(公告)号：CN211199399U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201921576634.6
申请日：2019-09-20
Applicant: 杨永亮
Abstract: 本实用新型公开了高密封性高度可调电极，主要涉及气相沉积技术领域。包括电极总成，所述电极总成包括电极盖板、绝缘体、锁紧环、电极架、电极冷却接口和电极体；还包括位移驱动装置总成；所述位移驱动装置总成包括外驱动件、内表面设置内螺纹的内从动轮、外护壳、与外护壳固定的支撑环、内部中空且外侧顶端设置外螺纹的传动管；所述外驱动件驱动内从动轮的转动，所述内从动轮的内螺纹与传动管顶端的外螺纹传动连接。本实用新型的有益效果在于：摒弃了现有的波纹管技术，采用新的技术实现电极的高度可调，而且解决了采用波纹管技术所带来的一系列不足，无需在设备上开固定孔、密封孔就可接入其他设备；而且增加了辐射泄漏防护技术。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211005579U
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201922286862.6
申请日：2019-12-18
Applicant: 杨永亮
Abstract: 本实用新型公开了用于硬质薄膜沉积的头罩模拟件及其调整装置，主要涉及硬质薄膜沉积技术领域。包括待镀膜头罩模拟件、调整底盘；所述调整底盘包括头罩支架和头罩圆环，所述待镀膜头罩模拟件的周底面与头罩支架的台阶顶面之间设有圆环状O形圈，所述待镀膜头罩模拟件的周侧面、头罩支架的台阶侧面、圆环状O形圈的外侧面与头罩圆环的内侧面相适配接触，所述头罩圆环的外侧弧面与待镀膜头罩模拟件的圆弧面之间形成连续的过渡。本实用新型的有益效果在于：能够实现待镀膜头罩模拟件与调整底盘之间的密封，避免反应物扩散到待镀膜头罩模拟件的内表面成膜，试验后发现，“衍射边”消失。
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