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公开(公告)号：CN116702651A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310739499.7
申请日：2023-06-20
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/28 , G06F30/23 , G06F17/12 , G06F17/14 , G06F113/08 , G06F119/14
摘要： 本发明提供一种CFD模拟多孔介质中微渗漏甲烷运移的预测方法。步骤为：对SpaceClaim软件建立的几何模型网格划分后导入CFD软件；构建控制方程、层流模型、组分输送模型、扩散系数模型、多孔介质模型；设定流体属性与模型运行条件、初始条件、离散方式和求解算法，构建得到多孔介质中微渗漏甲烷运移的预测模型。本发明使用UDF将Fick扩散、Knudsen扩散、过渡流扩散耦合进多孔介质中微渗漏甲烷运移的过程模拟，同时使用UDF程序设置初始浓度场，与实际地层中多孔介质中微渗漏甲烷运移更加贴切。本发明无需研究者编写模型求解程序，减少在模型求解程序编写中花费的精力，使研究者更多地关注于微渗漏甲烷运移研究本身。
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公开(公告)号：CN117198367A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310957394.9
申请日：2023-08-01
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开一种利用黄金分割搜索法优化3DNAND闪存开放块特性的方法，包括设定搜索区间[a,b]，针对开放块特性的电压状态分布负向偏移问题，偏移量最大值a为‑128，默认参考电压处于b为0的位置；设定收敛精度d，用于约束搜索结束条件，若设置d为1表示当区间长度收缩至1时则结束搜索；初始化收缩系数r为0.618，该值为黄金分割点，再将最小值点X初始为默认参考电压位置；计算偏移量，并向下取整；区间收缩循环；判断收缩后的区间[a,b]是否小于或等于收敛精度d；否，则返回上步；是，则输出a和b两点中错误数较小的点。本发明分析边缘WL的高原始误码率和原理，并基于黄金分割法提出一种优化读电压方案，降低边缘WL原始误码率，提高开放块的数据可靠性。
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公开(公告)号：CN118364480A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410272773.9
申请日：2024-03-11
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种具有移动充电功能的加密存储设备。该设备包括桥控制器、存储控制器、充放电控制电路、锂电池电芯堆、EMMC闪存、显示屏、矩阵键盘，USB数据传输口，Type‑C充放电口，USB放电口。所述具有移动充电功能的加密存储设备具有公开分区和安全分区两个存储区。在没有按下正确的密码时，主机只能访问公开分区，避免了安全分区内的数据泄露。当按下安全分区的正确密码后，主机就可以访问安全分区。由于锂电池电芯堆具备给桥控制器供电的能力，允许用户先按下正确的密码后再插入主机。本发明能给接入Type‑C充放电口及USB放电口的设备供电，起到移动电源的作用。同时显示屏能够显示存储容量及电源电量。
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公开(公告)号：CN117236237A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310956524.7
申请日：2023-08-01
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/327
摘要： 本发明公开了一种对芯片进行版本号记录及修改的方法，当某一金属层改变，需要对芯片的版本号进行修改时，将此金属层对应的逻辑门的两个输入与电源或地的连接关系进行改变，得到一个新的输出，即更新版本号；逻辑门的输入向上连接到对应的金属层时，在中间经过的金属层上由金属线构成，两层金属层之间的通孔层改变时，在不影响这两层金属层的情况下，通过只改变通孔的位置来改变逻辑门两输入与电源和地的连接关系。本发明利用芯片本身spare cell的情况下来完成，不会造成芯片资源的浪费，且在金属层上和通孔层上需要进行修改时绕线方式及通孔更改位置方式简单，不会使本层上的绕线资源变得紧张。
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