基于α-Ga2O3/TiO2异质结的日盲紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111477699A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN202010296965.5

    申请日:2020-04-16

    摘要: 本发明属于光电转换技术领域,具体涉及一种基于α-Ga2O3/TiO2异质结的日盲紫外探测器及其制备方法,所述探测器从下至上包含透明导电衬底、α-Ga2O3/TiO2异质结光敏层、石墨烯-银纳米线透明电极层和第一金属电极层,还包括设置于透明导电衬底上的第二金属电极层;所述α-Ga2O3/TiO2异质结光敏层包括若干阵列分布的α-Ga2O3/TiO2异质结纳米柱,α-Ga2O3/TiO2异质结纳米柱包括内核α-Ga2O3纳米柱、包覆于所述内核α-Ga2O3纳米柱侧壁和靠近所述石墨烯-银纳米线透明电极层一端的TiO2层。本发明的探测器利用α-Ga2O3/TiO2异质结促进了光生载流子的自动分离,以石墨烯-银纳米线复合膜做透明上电极,大大提高了探测器的有效光照面积,从而获得高的光响应度。

    基于α-Ga2O3/TiO2异质结的日盲紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111477699B

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202010296965.5

    申请日:2020-04-16

    摘要: 本发明属于光电转换技术领域,具体涉及一种基于α‑Ga2O3/TiO2异质结的日盲紫外探测器及其制备方法,所述探测器从下至上包含透明导电衬底、α‑Ga2O3/TiO2异质结光敏层、石墨烯‑银纳米线透明电极层和第一金属电极层,还包括设置于透明导电衬底上的第二金属电极层;所述α‑Ga2O3/TiO2异质结光敏层包括若干阵列分布的α‑Ga2O3/TiO2异质结纳米柱,α‑Ga2O3/TiO2异质结纳米柱包括内核α‑Ga2O3纳米柱、包覆于所述内核α‑Ga2O3纳米柱侧壁和靠近所述石墨烯‑银纳米线透明电极层一端的TiO2层。本发明的探测器利用α‑Ga2O3/TiO2异质结促进了光生载流子的自动分离,以石墨烯‑银纳米线复合膜做透明上电极,大大提高了探测器的有效光照面积,从而获得高的光响应度。

    基于TiO2/Ga2O3纳米相结的柔性日盲紫外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112635587A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202011629182.0

    申请日:2020-12-30

    摘要: 本发明涉及一种基于TiO2/Ga2O3纳米相结的柔性日盲紫外探测器及其制备方法,探测器包括Ag上电极,柔性钛片下电极,位于所述Ag上电极和所述柔性钛片下电极之间的TiO2/α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列和石墨烯/Ag纳米线复合电极,其中,柔性钛片作为柔性钛片衬底;所述TiO2/α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列包括位于所述柔性钛片衬底上TiO2层,位于所述TiO2层上的α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列,所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列包括若干间隔设置的α/β‑Ga2O3相结纳米柱;所述石墨烯/Ag纳米线复合电极位于所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱背离所述TiO2层一端,所述Ag上电极部分覆盖所述石墨烯/Ag纳米线复合电极。本发明的多异质结结构日盲紫外探测器,日盲特性稳定,具有优异的化学和热稳定性,有望在可穿戴、便捷式的紫外探测器领域广泛应用。