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发明公开
场发射器件,其制造方法及使用它的显示器件无效

公开(公告)号：CN1296632A

公开(公告)日：2001-05-23

申请号：CN00800293.2

申请日：2000-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 和田直树 , 则兼哲也 , 中井正

IPC: H01J1/30 , H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/3042 , H01J2201/319

Abstract: 一种场发射器件(FED)包括无定形衬底;杂质扩散防止层;在无定形硅或多晶硅制成的半导体层的一个形成表面上形成的FET;通过蚀刻FET漏区的半导体层制成的一个或多个发射极;以及集电极。半导体层由CVD工艺制成。在环形或多边形FET漏区内形成发射极阵列,该阵列被环形或多边形栅极和源极所包围。整个FET区由绝缘层和金属层覆盖。此结构在发射极芯片中提供了均匀的电流发射特性,实现了沿所有方向的均匀电子发射。把本FED应用于平板显示器件实现了高的画面质量、低功耗和低制造成本。

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