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公开(公告)号：CN103140949A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180047300.X
申请日：2011-11-18
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供能够容易地实现热电转换元件的高密度排列和连接可靠性的确保的热电转换元件、热电转换元件模块及其制造方法。本发明的热电转换元件例如具有：棒状的热电转换材料(1)；具有绝缘性及隔热性并容纳热电转换材料(1)的筒(2)；与热电转换材料(1)及筒(2)的端面密接的电极(3、3’)。所述端面的表面粗糙度(Ra)大于0.8μm。本发明能够以筒(2)相互密接的程度的高的密度排列热电转换元件。另外，所述端面处的电极(3、3’)的密接面较大，所以进一步提高了电极(3、3’)的连接可靠性。
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公开(公告)号：CN102844877A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180016052.2
申请日：2011-06-17
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/182 , H01L31/03682 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 本发明的目的在于通过简便地形成具有PN结的多晶硅膜而提供低成本的多晶型硅太阳能电池。具体来说，对使用含掺杂剂硅靶材进行溅镀成膜而得的非晶硅膜，利用等离子体进行多晶化，且在该膜上形成PN结，从而形成具有PN结的多晶硅膜，将其作为多晶型硅太阳能电池的硅基板。此外，本发明提供一种从硅晶锭获得含掺杂剂硅靶材的方法。
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公开(公告)号：CN102576749A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045578.9
申请日：2010-10-19
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： C01B33/02 , C01B33/037 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种硅粉末的制造方法，包括：将纯度等级为99.999％以上的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的硅粉末的工序。由此，提供一种从硅锭迅速地得到硅粉末且不使其纯度下降的技术。
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公开(公告)号：CN102576749B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080045578.9
申请日：2010-10-19
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L31/18 , C01B33/02 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/02 , C01B33/037 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种硅粉末的制造方法，包括：将纯度等级为99.999％以上的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的硅粉末的工序。由此，提供一种从硅锭迅速地得到硅粉末且不使其纯度下降的技术。
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公开(公告)号：CN103311427A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310070535.1
申请日：2013-03-06
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L35/32
CPC分类号： H01L35/32
摘要： 本发明提供热电转换模块及热电转换装置，其能够将热电转换元件高密度地排列并灵活地安装到各种形状的热源。该热电转换模块采用的结构包括：第一热电转换元件，其由具有中空部的筒状的热电转换材料构成；以及第二热电转换元件，其由传导型不同于上述第一热电转换元件且固定于上述中空部的热电转换材料构成。
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公开(公告)号：CN103299443A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201280004460.0
申请日：2012-01-23
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L35/32
摘要： 本发明提供每单位面积的pn结对的数量多、并且热电材料芯片难以破损的热电转换元件及其制造方法。本发明的热电转换元件层叠有多片在表面形成有膜状的热电材料的基板。其结果是，每单位面积的pn结对的数量多，因此能够得到高功率。另外，热电材料为膜状，因此即使是每单位面积的pn结对的数量多、即剖面形状小的热电材料也能够防止热电材料破损引起的可靠性降低。
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