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公开(公告)号：CN103178155A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210560046.X
申请日：2012-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/182 , H01L31/1872 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供多晶硅型太阳能电池板，通过用少工序且短时间形成形成有pn结的多晶硅膜，降低成本。具体而言，提供多晶硅型太阳能电池板的制造方法，该方法具有：使用由掺杂为n型或p型的硅构成的蒸镀材料，通过蒸镀在基板表面形成非晶硅膜的工序；对所述非晶硅膜的表层，用p型或n型掺杂剂进行等离子体掺杂的工序；以及在所述等离子体掺杂后的非晶硅膜上扫描等离子体，使非晶硅膜熔融且再晶化的工序。
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公开(公告)号：CN102844877A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180016052.2
申请日：2011-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/182 , H01L31/03682 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于通过简便地形成具有PN结的多晶硅膜而提供低成本的多晶型硅太阳能电池。具体来说，对使用含掺杂剂硅靶材进行溅镀成膜而得的非晶硅膜，利用等离子体进行多晶化，且在该膜上形成PN结，从而形成具有PN结的多晶硅膜，将其作为多晶型硅太阳能电池的硅基板。此外，本发明提供一种从硅晶锭获得含掺杂剂硅靶材的方法。
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公开(公告)号：CN102576749A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045578.9
申请日：2010-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01B33/02 , C01B33/037 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种硅粉末的制造方法，包括：将纯度等级为99.999％以上的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的硅粉末的工序。由此，提供一种从硅锭迅速地得到硅粉末且不使其纯度下降的技术。
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公开(公告)号：CN101160643B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200680012508.7
申请日：2006-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , C23C14/48 , H01J37/32412
Abstract: 本发明提供了一种等离子体掺入方法，即使在等离子体处理重复时，每次可以实现从膜到硅基板的相同剂量。在该等离子体掺入方法中，样品安装在真空容器内的样品电极上，且等离子体在真空容器内产生以允许等离子体内的杂质离子碰撞到样品表面且因此在样品表面上形成杂质掺入层。该等离子体掺入方法包括提供真空容器的维护步骤，该真空容器具有设有包含上述杂质的膜的内壁，该膜起作用使得由于等离子体中离子轰击固定于该真空容器内壁上的该包含杂质的膜通过溅射引入样品表面内的杂质的数量保持不变，即使当该包含杂质离子的等离子体在真空容器内重复产生时；将该样品安装于样品电极上的步骤；以及施加该包含杂质离子的等离子体从而将杂质离子注入该样品，以及通过溅射固定到该真空容器内壁的包含杂质的膜而将该杂质引入样品的步骤。
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公开(公告)号：CN101887831B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010178381.4
申请日：2010-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体显示面板以及能够有效地防止或减轻形成电介质层时产生的裂纹，并且防止了等离子体显示面板完成后的亮度劣化的等离子体显示面板的制造方法。一种等离子体显示面板的制造方法，前面板的电介质层的形成包括：(i)制备包括玻璃成分、有机溶剂及二氧化硅粒子的介电原料的工序；(ii)向形成有电极的基板上供给介电原料，从所供给的介电原料中除去有机溶剂而形成介电前体层的工序；(iii)对介电前体层附加热处理，由介电前体层形成第一电介质层的工序；以及(iv)对第一电介质层的表面附加局部性的热处理，在第一电介质层的表面部分形成第二电介质层的工序。
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公开(公告)号：CN1897214B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200610101558.4
申请日：2006-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供具有高发光效率的PDP及其制造方法。在相互对置的前面板和背面板之间填充放电气体而成的等离子体显示器面板中，前面板(100)包括：玻璃基板(1)、位于玻璃基板(1)上的电极(2)(透明电极2a及总线电极2b)、覆盖电极(2)及玻璃基板(1)并含有氟原子的第一电介质层(4)、覆盖第一电介质层(4)并以比第一电介质层(4)少的量含有氟原子的第二电介质层(5)、覆盖第二电介质层(5)的保护层(6)。
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公开(公告)号：CN101630617B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910139979.X
申请日：2009-07-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J9/00
Abstract: 本发明提供一种能够以良好的均一性、简单并且低成本地去除保护层表面的变质层的PDP制造方法。该PDP制造方法构成为，包括：(i)准备在基板A上形成电极A、电介质层A和保护层的前面板、以及在基板B上形成电极B、电介质层B、隔壁和荧光体层的背面板的工序，(ii)在基板A或基板B的周边区域涂敷玻璃粉材料，并以夹着玻璃粉材料的方式将前面板与背面板对置配置的工序，(iii)在对前面板以及背面板进行加热的状态下，从前面板以及背面板的横向，向对置配置的前面板与背面板之间吹入气体的工序，以及(iv)使玻璃粉材料熔融，使前面板和背面板密封的工序。
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公开(公告)号：CN102163527A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110039412.2
申请日：2011-02-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/12 , H01J9/02 , H01J11/24 , H01J2211/225 , H01J2211/444
Abstract: 本发明涉及等离子体显示板及其制造方法。本发明提供在减少总线电极电阻的同时、抑制了总线电极的卷边的PDP。本发明提供一种等离子体显示板，其为使在基板上形成有电极和电介质层和保护层的前面板与在基板上形成有电极和电介质层和隔壁和荧光体层的背面板相对配置而成的等离子体显示板，其特征在于，前面板的电极由透明电极和总线电极构成，总线电极具有通过使导电性粒子熔融固化而获得的熔融固化部而成。
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公开(公告)号：CN101887831A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010178381.4
申请日：2010-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体显示面板以及能够有效地防止或减轻形成电介质层时产生的裂纹，并且防止了等离子体显示面板完成后的亮度劣化的等离子体显示面板的制造方法。一种等离子体显示面板的制造方法，前面板的电介质层的形成包括：(i)制备包括玻璃成分、有机溶剂及二氧化硅粒子的介电原料的工序；(ii)向形成有电极的基板上供给介电原料，从所供给的介电原料中除去有机溶剂而形成介电前体层的工序；(iii)对介电前体层附加热处理，由介电前体层形成第一电介质层的工序；以及(iv)对第一电介质层的表面附加局部性的热处理，在第一电介质层的表面部分形成第二电介质层的工序。
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公开(公告)号：CN100555574C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510092358.2
申请日：2005-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/223
Abstract: 一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器(1)、设于容器(1)内的试料台(2)、与试料台(2)相对设置的窗口(3)、隔着窗口(3)与试料台(2)相对的作为紫外线光源的五个Xe灯(4)。在试料台(2)上载置作为试料的硅基板(5)，从Xe灯(4)发出的紫外线照射硅基板(5)的表面，则硅基板(5)的表面附近的结晶结构被破坏，而进行非晶质化。然后，在已非晶质化的基板表面上施加离子供给处理、活性化处理，由此，能够在基板表面极浅地导入杂质。
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