公开(公告)号：CN103620783B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280030161.4

申请日：2012-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 坂田祐辅 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  益田洋司 ,  栗山仁志 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置具备：第一电极(113)，被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极(115)，被形成在光电转换膜(114)上；电荷积蓄区域(104)，与第一电极(113)电连接，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷；放大晶体管(108a)，对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大；复位栅极电极，对电荷积蓄区域(104)进行复位；以及由半导体材料构成的接触插头(107)，用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接，且与电荷积蓄区域(104)直接接触。

公开(公告)号：CN103620783A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280030161.4

申请日：2012-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 坂田祐辅 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  益田洋司 ,  栗山仁志 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置具备：第一电极(113)，被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极(115)，被形成在光电转换膜(114)上；电荷积蓄区域(104)，与第一电极(113)电连接，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷；放大晶体管(108a)，对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大；复位栅极电极，对电荷积蓄区域(104)进行复位；以及由半导体材料构成的接触插头(107)，用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接，且与电荷积蓄区域(104)直接接触。

公开(公告)号：CN101339952A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810135706.3

申请日：2008-07-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 胜野元成 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636

Abstract: 提高灵敏度特性，对于摄像装置的光圈(F值)特性，灵敏度特性的降低较小的固体摄像装置及其制造方法。固体摄像装置具有：配置有受光部(12)的摄像区域；具有配置于受光部(12)的上方，形成开口部的金属布线(22A)、(22B)、(22C)和第1绝缘膜(20)的布线层；按每个受光部(12)设置，在布线层上或上部形成的层内透镜(24)；在布线层和层内透镜(24)上形成的透明的第2绝缘膜(26)；按每个受光部(12)设置，形成于第2绝缘膜(26)，上表面为凸状曲面的顶部透镜(28)；和在顶部透镜(28)上形成，由比顶部透镜(28)低的折射率的材料构成的透明的透明膜(30)。使入射光的至少一部分的焦点位于半导体基板(10)的上方的位置。

公开(公告)号：CN1856043A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610082088.1

申请日：2006-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫川良平

IPC: H04N5/335 ,  H04N3/15 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/359 ,  H04N5/37457

Abstract: 在多像素1单元的MOS型摄像元件中，能够防止强光入射到一部分光电二极管上并饱和，溢出到检测部的电荷泄漏到没有饱和的其它光电二极管的情形的摄像装置。排列有多个存储与光接收量对应的亮度信息的单位单元的摄像装置，包含：各单位单元包含N个(N为2以上)光接收元件(111、112)(光电二极管)；1个检测部(113)；将N个光电二极管中的各个和检测部之间切换为导通或者非导通状态，在非导通状态时将亮度信息读取到检测部中的N个读取晶体管(115、116)；将电源端子和检测部之间切换为导通或者非导通状态的1个复位晶体管(114)；将读取到检测部中的亮度信息放大的1个放大晶体管，N个读取晶体管是增强型晶体管，复位晶体管是耗尽型晶体管。

公开(公告)号：CN101339952B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810135706.3

申请日：2008-07-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 胜野元成 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636

Abstract: 提高灵敏度特性，对于摄像装置的光圈(F值)特性，灵敏度特性的降低较小的固体摄像装置及其制造方法。固体摄像装置具有：配置有受光部(12)的摄像区域；具有配置于受光部(12)的上方，形成开口部的金属布线(22A)、(22B)、(22C)和第1绝缘膜(20)的布线层；按每个受光部(12)设置，在布线层上或上部形成的层内透镜(24)；在布线层和层内透镜(24)上形成的透明的第2绝缘膜(26)；按每个受光部(12)设置，形成于第2绝缘膜(26)，上表面为凸状曲面的顶部透镜(28)；和在顶部透镜(28)上形成，由比顶部透镜(28)低的折射率的材料构成的透明的透明膜(30)。使入射光的至少一部分的焦点位于半导体基板(10)的上方的位置。

公开(公告)号：CN101106146A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710109943.8

申请日：2007-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚惠美 ,  内田干也 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 包括在每个像素区域和外围电路区域中的N型半导体衬底114之上形成的N型外延层115；在像素区域中的N型外延层115上形成的第一P型阱1；以及在第一P型阱1中形成的并都是光电二极管部件的光接收区域117。外围电路区域包括：第二P型阱2，其从外围电路区域的表面200形成到所需的深度，并且都是N沟道MOS晶体管的部件；N型阱3，其从外围电路区域的表面200形成到所需的深度，并且都是P沟道MOS晶体管的部件；以及第三P型阱4，形成为具有这样的形状，从而可以隔离N型阱3和N型外延层115，并具有高于第一P型阱1的杂质浓度。

公开(公告)号：CN101107843A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002220.1

申请日：2006-07-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中晶二 ,  宫川良平 ,  古贺一成 ,  室岛孝广 ,  渡边研二

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/335 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/3765

Abstract: 固态摄像装置，包括：各自被设置而呈矩阵状、并分别根据入射光输出像素信号的多个单位像素21，和接收像素信号的多个浮动扩散部22。多个单位像素21中的一单位像素、和设置于与该一单位像素相邻的行且相邻的列上的其他单位像素，共同具有浮动扩散部22。

公开(公告)号：CN101043046A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710089381.5

申请日：2007-03-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 胜野元成 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/335

Abstract: 在固态摄像设备中，难以将与像素阵列区的图像高度相对应的最佳入射角与相机镜头的光入射特性相匹配，从而由于敏感度衰减导致了图像质量恶化。各个微透镜以二维方式布置，即在行和列方向上布置。具体的，将微透镜布置为使得布置微透镜的布置区的每一个侧边都具有相对于连接布置区相邻顶点的直线的凹曲线。换句话说，将在布置区的一对相对侧边的中心之间的距离AH(AV)设置为小于在布置区相邻顶点之间的距离BH(BV)。

公开(公告)号：CN1967808A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610148534.4

申请日：2006-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田干也 ,  宫川良平

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 实现了一种元件图案被小型化的固态图像拾取器件及其制造方法，其中采用炉内退火工艺而不进行氮化栅氧化膜的工艺和主要热处理工艺中的快速热处理。根据本发明的固态图像拾取器件的制造方法包括以下步骤：通过热氧化半导体衬底来形成N沟道晶体管和P沟道晶体管的相应栅绝缘膜；形成P沟道晶体管的栅电极并且形成N沟道晶体管的栅电极使得最小栅长等于或小于0.3μm；利用栅电极作为掩模将杂质注入到半导体衬底中；并且对具有注入到其中的杂质的半导体衬底进行炉内退火。

公开(公告)号：CN1828915A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200510125486.2

申请日：2005-11-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603

Abstract: 一种固态成像器件所包括的像素具有光电二极管1；传送栅极电极2，用于传送累积于光电二极管1中的电荷；浮动扩散部分3，用于累积由传送栅极电极2传送的电荷；放大晶体管15，其中栅极电极与浮动扩散部分3连接；以及复位晶体管14，用于复位浮动扩散部分3的电势。放大器晶体管15的栅极长度短于构成外围电路的晶体管中的晶体管的栅极长度，该构成外围电路的晶体管的栅极绝缘膜厚度与放大晶体管15的栅极绝缘膜厚度相同，且具有最小栅极长度。