利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

31 条记录 (耗时 0.032 秒)

    固体摄像装置
    1.
    发明授权
    固体摄像装置 有权

    公开(公告)号：CN102668083B

    公开(公告)日：2014-09-03

    申请号：CN201080052831.3

    申请日：2010-08-04

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 森三佳 ,  冲野彻 ,  广濑裕 ,  加藤刚久

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14645 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464

    摘要： 本发明的固体摄像装置具有：半导体基板(1)；矩阵状地配置于该半导体基板(1)的上部而形成的n型的多个光电变换部(11)；形成于半导体基板(1)的一个面即电荷检测面，并对积累于光电变换部(11)的电荷进行检测的输出电路(12)；形成于该输出电路(12)的下侧，且包含与各光电变换部(11)相接的高浓度p型层的p型的多个分离扩散层(10)；形成于半导体基板(1)中的与上述一个面相对的另一面即光入射面，且透过不同波长的光的彩色滤光器(17)、(18)以及(19)。各光电变换部(11)的形状与彩色滤光器(17)、(18)以及(19)相对应，根据构成分离扩散层(10)的高浓度p型层而不同。

    固态摄像装置
    2.
    发明授权
    固态摄像装置 有权

    公开(公告)号：CN101689557B

    公开(公告)日：2013-05-01

    申请号：CN200980000361.3

    申请日：2009-06-02

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 大竹悠介 ,  森三佳 ,  香山信三 ,  冲野彻

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/33

    CPC分类号： H04N9/045 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14647 ,  H04N5/332

    摘要： 本发明公开了一种固态摄像装置。固态摄像装置包括半导体基板(22)、有规律地配置在半导体基板(22)上并且各自具有光电转换部(24)的多个像素(23)以及使多个像素(23)彼此电隔离的隔离部(25)。第一像素(31)具有在第一波长区具有透光率的峰值的第一彩色滤光片(41)和第一光电转换部(32)，与第一像素(31)相邻的第二像素(34)具有第二彩色滤光片(42)和第二光电转换部(35)，该第二彩色滤光片(42)在第一波长区和比第一波长区还靠近短波长一侧的第二波长区具有透光率的峰值，第一光电转换部(32)的深部的一部分(33)越过隔离部(25)，到达第二光电转换部(35)的下方。

    固体摄像装置
    6.
    发明公开
    固体摄像装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN103946982A

    公开(公告)日：2014-07-23

    申请号：CN201280056111.3

    申请日：2012-11-02

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  坂田祐辅 ,  益田洋司 ,  宫川良平

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

    CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

    摘要： 固体摄像装置具备：被配置为矩阵状的多个像素(11)；半导体衬底(101)；第一电极(113)，按每个像素(11)被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；电荷积蓄区域(104)，被形成在半导体衬底(101)，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而生成的信号电荷；接触插塞(107)，将对应的像素(11)的第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接；N型杂质区域(117)，被形成在电荷积蓄区域(104)的表面中的、与接触插塞(107)接触的区域；P型杂质区域(151)，被形成在不与接触插塞(107)接触的区域；以及低浓度N型杂质区域(150)，被形成在N型杂质区域(117)与P型杂质区域(151)之间。

    固体摄像装置
    7.
    发明公开
    固体摄像装置 有权

    公开(公告)号：CN102668083A

    公开(公告)日：2012-09-12

    申请号：CN201080052831.3

    申请日：2010-08-04

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 森三佳 ,  冲野彻 ,  广濑裕 ,  加藤刚久

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14645 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464

    摘要： 本发明的固体摄像装置具有：半导体基板(1)；矩阵状地配置于该半导体基板(1)的上部而形成的n型的多个光电变换部(11)；形成于半导体基板(1)的一个面即电荷检测面，并对积累于光电变换部(11)的电荷进行检测的输出电路(12)；形成于该输出电路(12)的下侧，且包含与各光电变换部(11)相接的高浓度p型层的p型的多个分离扩散层(10)；形成于半导体基板(1)中的与上述一个面相对的另一面即光入射面，且透过不同波长的光的彩色滤光器(17)、(18)以及(19)。各光电变换部(11)的形状与彩色滤光器(17)、(18)以及(19)相对应，根据构成分离扩散层(10)的高浓度p型层而不同。

    固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法
    8.
    发明授权
    固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN1877846B

    公开(公告)日：2010-05-12

    申请号：CN200610073224.0

    申请日：2006-04-05

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 森三佳

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

    摘要： 本发明公开了一种固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法。在具有设置在硅衬底(1)上部的光电二极管(2)、和通过元件隔离区域(3)与光电二极管(2)分离开的金属氧化物半导体场效应晶体管的活性区域的固体摄像装置中，使元件隔离区域(3)上部宽度比下部宽度宽。因此，能够提供一种在确保元件隔离用区域的电气隔离特性的状态下，实现像素尺寸的微细化和受光区域面积的增大，并且随机干扰和白缺陷很少的固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法。

    固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法
    10.
    发明公开
    固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN1877846A

    公开(公告)日：2006-12-13

    申请号：CN200610073224.0

    申请日：2006-04-05

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 森三佳

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

    摘要： 本发明公开了一种固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法。在具有设置在硅衬底(1)上部的光电二极管(2)、和通过元件隔离区域(3)与光电二极管(2)分离开的金属氧化物半导体场效应晶体管的活性区域的固体摄像装置中，使元件隔离区域(3)上部宽度比下部宽度宽。因此，能够提供一种在确保元件隔离用区域的电气隔离特性的状态下，实现像素尺寸的微细化和受光区域面积的增大，并且随机干扰和白缺陷很少的固体摄像装置、摄象机以及固体摄像装置的制造方法。