等离子体显示面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101916704A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN201010157259.9

    申请日:2005-10-05

    CPC classification number: H01J11/12 H01J1/74 H01J9/20 H01J11/42

    Abstract: 本发明提供一种PDP和能够简单地制造该PDP的制造方法,即使提高针对放电气体中的总压力的Xe分压比例,在初始化期间可稳定地产生弱放电,降低放电开始电压,抑制初始化亮点的产生,提高图像质量,并且,抑制发光效率的降低,抑制亮度的降低,提高亮度。本发明的PDP具有在前面面板域背面面板之间开设有放电空间的状态下对置配置的结构。并且,在背面面板的放电空间侧的区域形成有荧光体层,在其表面的部分区域上形成作为高γ部的荧光体保护膜。荧光体保护膜由二次电子发射系数γ比构成荧光体层的荧光体材料高的材料构成。荧光体层的表面的一部分被荧光体保护膜覆盖,其他部分为面对放电空间的状态。

    等离子体显示面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101073136A

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200580041728.8

    申请日:2005-10-05

    CPC classification number: H01J11/12 H01J1/74 H01J9/20 H01J11/42

    Abstract: 本发明提供一种PDP和能够简单地制造该PDP的制造方法,即使提高针对放电气体中的总压力的Xe分压比例,在初始化期间可稳定地产生弱放电,降低放电开始电压,抑制初始化亮点的产生,提高图像质量,并且,抑制发光效率的降低,抑制亮度的降低,提高亮度。本发明的PDP具有在前面面板域背面面板之间开设有放电空间的状态下对置配置的结构。并且,在背面面板的放电空间侧的区域形成有荧光体层,在其表面的部分区域上形成作为高γ部的荧光体保护膜。荧光体保护膜由二次电子发射系数γ比构成荧光体层的荧光体材料高的材料构成。荧光体层的表面的一部分被荧光体保护膜覆盖,其他部分为面对放电空间的状态。

    荧光体及荧光体的处理方法

    公开(公告)号:CN1703482A

    公开(公告)日:2005-11-30

    申请号:CN200380101044.3

    申请日:2003-10-07

    Abstract: 本发明的目的在于,通过抑制由真空紫外光激发发光的荧光体的发光特性随时间发生的变化,实现可以长时间维持优良发光特性的PDP及无汞荧光灯。为此在本发明的氧化物荧光体中改性粒子的表面附近区域,使该表面附近区域的元素组成和粒子的内部区域的元素组成相比成为更加被氧化的状态。或者,改性粒子的表面附近区域,该表面附近区域中的元素组成中比粒子的内部区域的元素组成较多地含有卤素或氧族元素。另外,在本发明的荧光体处理方法中,通过使含有反应气体的气体激发,形成高反应性的气体气氛,通过使荧光体暴露在该气体气氛中,选择性地使荧光体粒子的表面附近区域改性。

    等离子体显示面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101073136B

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200580041728.8

    申请日:2005-10-05

    CPC classification number: H01J11/12 H01J1/74 H01J9/20 H01J11/42

    Abstract: 本发明提供一种PDP和能够简单地制造该PDP的制造方法,即使提高针对放电气体中的总压力的Xe分压比例,在初始化期间可稳定地产生弱放电,降低放电开始电压,抑制初始化亮点的产生,提高图像质量,并且,抑制发光效率的降低,抑制亮度的降低,提高亮度。本发明的PDP具有在前面面板域背面面板之间开设有放电空间的状态下对置配置的结构。并且,在背面面板的放电空间侧的区域形成有荧光体层,在其表面的部分区域上形成作为高γ部的荧光体保护膜。荧光体保护膜由二次电子发射系数γ比构成荧光体层的荧光体材料高的材料构成。荧光体层的表面的一部分被荧光体保护膜覆盖,其他部分为面对放电空间的状态。

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