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公开(公告)号：CN103003959A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180034692.6
申请日：2011-06-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/072
CPC classification number: H01L31/0264 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 本发明提供一种成为带隙和电阻率、或者带隙和载流子浓度都适于太阳能电池的值的半导体膜。在本发明中，半导体膜由以用下述组成式(1)示出的比例来含有IB族元素、IIB族元素、IIIA族元素以及VIA族元素的半导体而构成。AxByCzDw (1)(在组成式(1)中，A表示IB族元素，B表示IIB族元素，C表示IIIA族元素，D表示VIA族元素。x、y、z以及w是表示组成比的数、且x和z满足x/z＞1的关系)。
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公开(公告)号：CN109216550A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810584996.3
申请日：2018-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供可以具有高光电转换效率的太阳能电池以及太阳能电池模块。所述太阳能电池具有：第1电极；第1空穴传输层，其位于所述第1电极上且含有镍；无机材料层，其位于所述空穴传输层上且含有钛；光吸收层，其位于所述无机材料层上，与所述无机材料层接触并将光转换为电荷；以及第2电极，其位于所述光吸收层上且与所述第1电极相对置；其中，所述光吸收层含有在将A设定为1价阳离子、将M设定为2价阳离子、将X设定为1价阴离子时，用组成式AMX3表示的钙钛矿型化合物。
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公开(公告)号：CN1531114A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410030025.2
申请日：2004-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是提供一种太阳能电池及其制备方法，所述电池包括含有Zn、Mg和O的层，并且它提高了效率。所述太阳能电池包括第一电极层、第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间的p－型半导体层、和置于第二电极层和p－型半导体层之间的层A，其中层A包括Zn、Mg、O和至少一种选自Ca、Sr、Ba、Al、In和Ga的元素M，并且由于从第二电极层侧入射的光而产生光电动势。
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公开(公告)号：CN100428496C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200410030025.2
申请日：2004-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0264 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是提供一种太阳能电池及其制备方法，所述电池包括含有Zn、Mg和O的层，并且它提高了效率。所述太阳能电池包括第一电极层、第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间的p-型半导体层、和置于第二电极层和p-型半导体层之间的层A，其中层A包括Zn、Mg、O和至少一种选自Ca、Sr、Ba、Al、In和Ga的元素M，并且由于从第二电极层侧入射的光而产生光电动势。
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公开(公告)号：CN1197172C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01142763.9
申请日：2001-10-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0264
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/032 , H01L31/1836 , Y02E10/541
Abstract: 提供具有可实现高效率的能带构造、对作为光吸收层的半导体层的损伤少的太阳能电池。包含p型的第1半导体层13、以及在第1半导体层13的上方形成的n型的第2半导体层15，在第1半导体层13和第2半导体层15之间包括由与第1和第2半导体层不同的半导体或绝缘体组成的层A，第1半导体层13的禁带宽度Eg1和第2半导体层15的禁带宽度Eg2满足Eg1＜Eg2的关系，第1半导体层13的电子亲合力x1(eV)和第2半导体层15的电子亲合力x2(eV)满足0≤(x1-x2)＜0.5的关系，层A的平均层厚度为1毫微米以上、20毫微米以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1499649A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310103649.8
申请日：2003-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L33/00 , H01L21/31 , H01L21/203 , C23C14/08
CPC classification number: H01L33/26 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/032 , H01L31/0323 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种具有新型氧化物层的电子器件及其制造方法。本发明的电子器件是具有氧化物层的电子器件，氧化物层由含有IIa族元素、IIb族元素和IIIb族元素的氧化物构成。例如，可用于太阳能电池，该太阳能电池具有第1电极层即背面电极(11)、透光性的第2电极层即透明导电膜(15)、配置在背面电极(11)和透明电极(15)之间的具有作为光吸收层功能的半导体层(13)、以及进一步具有配置在半导体层(13)和透明导电膜(15)之间的氧化物层(14)。
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公开(公告)号：CN1350335A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN01142763.9
申请日：2001-10-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0264
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/032 , H01L31/1836 , Y02E10/541
Abstract: 提供具有可实现高效率的能带构造、对作为光吸收层的半导体层的损伤少的太阳能电池。包含p型的第1半导体层13、以及在第1半导体层13的上方形成的n型的第2半导体层15,在第1半导体层13和第2半导体层15之间包括由与第1和第2半导体层不同的半导体或绝缘体组成的层A,第1半导体层13的禁带宽度Eg1和第2半导体层15的禁带宽度Eg2满足Eg1
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公开(公告)号：CN107689402B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201710541346.6
申请日：2017-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 太阳能电池模块所具有的第1单元电池和第2单元电池各自依次包括：第1电极层、包含第1金属原子的氧化物的第1半导体层、第2半导体层、以及第2电极层；第1单元电池的第2电极层的一部分位于将第1单元电池的第2半导体层和第2单元电池的第2半导体层分隔的沟槽内；第1单元电池的第2电极层经由第2单元电池的第1半导体层中俯视看来与沟槽重叠的第1部分而与第2单元电池的第1电极层电连接；第1部分包含与第1金属原子不同的第2金属原子，第1部分中的第2金属原子的原子数相对于所有金属原子的原子数的合计之比A比第1半导体层中除第1部分以外的第2部分的第2金属原子的原子数相对于所有金属原子的原子数的合计之比B更大。
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公开(公告)号：CN110112295A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910048481.6
申请日：2019-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本公开提供一种具有高的转换效率、并且具有高的耐久性的钙钛矿太阳能电池。本公开的太阳能电池，具备第1电极、第2电极、位于第1电极与第2电极之间的钙钛矿光吸收层、位于第1电极与光吸收层之间的第1半导体层、以及位于第2电极与光吸收层之间的第2半导体层。第1半导体层含有Li。第2半导体层含有LiN(SO2CF3)2。第2半导体层含有聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]。在第2半导体层中，LiN(SO2CF3)2相对于聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]的摩尔比为0.15以上且0.26以下。
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公开(公告)号：CN107689402A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710541346.6
申请日：2017-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/0465 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L31/0508 , H01L31/188
Abstract: 本发明提供能够降低电阻损耗的太阳能电池模块及其制造方法。该太阳能电池模块具有基板、以及配置于基板上且相互串联连接的第1单元电池和第2单元电池；其中，第1单元电池和第2单元电池各自包括：配置于基板上的第1电极层、位于第1电极层上且包含第1金属原子的氧化物的第1半导体层、位于第1半导体层上的第2半导体层、以及位于第2半导体层上的第2电极层；第1单元电池的第2电极层的一部分位于将第1单元电池的第2半导体层和第2单元电池的第2半导体层分隔的沟槽内；第1单元电池的第2电极层经由第2单元电池的第1半导体层中俯视看来与沟槽重叠的第1部分而与第2单元电池的第1电极层电连接；第1部分包含与第1金属原子不同的第2金属原子，第1部分中的第2金属原子的原子数相对于所有金属原子的原子数的合计之比A比第1半导体层中除第1部分以外的第2部分的第2金属原子的原子数相对于所有金属原子的原子数的合计之比B更大。
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