公开(公告)号：CN1077726C

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN97101033.1

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 制造在半导体衬底上带有电容器的半导体器件的方法、该方法包括：在衬底上形成电容器下电极；在该下电极上形成第一隔离膜、选择性地腐蚀第一隔离膜以形成第一和第二开孔；在上述下电极和第一隔离膜上形成第二隔离膜；选择性腐蚀第二隔离膜以露出上述第二开孔的底部及与第二开孔周边的第一隔离膜，以及在第二开孔中形成所述电容器下电极的接触电极。

公开(公告)号：CN1095595C

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN97101048.X

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 制造具有NPN双极晶体管的半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成N型收集极层；再在其上的一个区域内形成P型防漏电层；在所述衬底的表面区域内形成氧化物隔离层使其与防止漏电层相接触；在N型收集极层的表面侧形成P型基极层、使其至少有一侧面部分与氧化物隔离层及防止漏电层相接触；在P型基极层的表面侧形成N型发射极层；以及在所述P型基极层上未与N型发射极层接触的区域内形成P型基极接触层。

公开(公告)号：CN1171623A

公开(公告)日：1998-01-28

申请号：CN97101048.X

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 制造具有NPN双极晶体管的半导体器件的方法。该方法包括:在衬底上形成N型收集极层;再在其上的一个区域内形成P型防漏电层;在所述衬底的表面区域内形成氧化物隔离层使其与防止漏电层相接触;在N型收集极层的表面侧形成P型基极层、使其至少有一侧面部分与氧化物隔离层及防止漏电层相接触;在P型基极层的表面侧形成N型发射极层;以及在所述P型基极层上未与N型发射极层接触的区域内形成P型基极接触层。

公开(公告)号：CN1052341C

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN94103433.X

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/70 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 在具有NPN双极晶体管的耐高压半导体器件中，在P型半导体衬底的表面区域内形成了一个氧化物隔离层和一个至少有一部分与氧化物隔离层相接触的P型收集极层。在该P型收集极层上形成有P型收集极接触层。在其表面侧无P型收集极接触层的区域内形成N型基极层。一个P型发射极层形成在N型基极层上。杂质浓度高于P型收集极层的收集极接触-基极间P型防止漏电层形成在P型收集极层与氧化物隔离层相接触的区域内，以防止漏电流。

公开(公告)号：CN1171628A

公开(公告)日：1998-01-28

申请号：CN97101033.1

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 制造在半导体衬底上带有电容器的半导体器件的方法,该方法包括:在衬底上形成电容器下电极;在该下电极上形成第一隔离膜、选择性地腐蚀第一隔离膜以形成第一和第二开孔;在上述下电极和第一隔离膜上形成第二隔离膜;选择性腐蚀第二隔离膜以露出上述第二开孔的底部及与第二开孔周边的第一隔离膜,以及在第二开孔中形成所述电容器下电极的接触电极。

公开(公告)号：CN1171626A

公开(公告)日：1998-01-28

申请号：CN97101032.3

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/76 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 一种制造半导体器件的方法,该半导体器件有P型发射极层、N型基极层、P型收集极层、P收集极接触层以及氧化物隔离层,该方法包括下列步骤:在衬底上形成氮化物膜;形成氧化物隔离层;形成P型收集极层;形成收集极接触－基极防止漏电层;形成N型基层;以及形成P型收集极接触层并形成P型发射极层。其中,杂质浓度高于P型收集极层的收集极接触－基极间防止漏电层形成在P型收集极层与氧化物隔离层相接触的区域内,以防止漏电。

公开(公告)号：CN1093493A

公开(公告)日：1994-10-12

申请号：CN94103433.X

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/70 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 在具有NPN双极晶体管的耐高压半导体器件中，在P型半导体衬底的表面区域内形成了一个氧化物隔离层和一个至少有一部分与氧化物隔离层相接触的P型收集极层。在该P型收集极层上形成有P型收集极接触层。在其表面侧无P型收集极接触层的区域内形成N型基极层。一个P型发射极层形成在N型基极层上。杂质浓度高于P型收集极层的收集极接触——基极间P型防止漏电层形成在P型收集极层与氧化物隔离层相接触的区域内，以防止漏电流。