公开(公告)号：CN1077726C

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN97101033.1

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 制造在半导体衬底上带有电容器的半导体器件的方法、该方法包括：在衬底上形成电容器下电极；在该下电极上形成第一隔离膜、选择性地腐蚀第一隔离膜以形成第一和第二开孔；在上述下电极和第一隔离膜上形成第二隔离膜；选择性腐蚀第二隔离膜以露出上述第二开孔的底部及与第二开孔周边的第一隔离膜，以及在第二开孔中形成所述电容器下电极的接触电极。

公开(公告)号：CN1052341C

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN94103433.X

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/70 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 在具有NPN双极晶体管的耐高压半导体器件中，在P型半导体衬底的表面区域内形成了一个氧化物隔离层和一个至少有一部分与氧化物隔离层相接触的P型收集极层。在该P型收集极层上形成有P型收集极接触层。在其表面侧无P型收集极接触层的区域内形成N型基极层。一个P型发射极层形成在N型基极层上。杂质浓度高于P型收集极层的收集极接触-基极间P型防止漏电层形成在P型收集极层与氧化物隔离层相接触的区域内，以防止漏电流。

公开(公告)号：CN1171628A

公开(公告)日：1998-01-28

申请号：CN97101033.1

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 制造在半导体衬底上带有电容器的半导体器件的方法,该方法包括:在衬底上形成电容器下电极;在该下电极上形成第一隔离膜、选择性地腐蚀第一隔离膜以形成第一和第二开孔;在上述下电极和第一隔离膜上形成第二隔离膜;选择性腐蚀第二隔离膜以露出上述第二开孔的底部及与第二开孔周边的第一隔离膜,以及在第二开孔中形成所述电容器下电极的接触电极。

公开(公告)号：CN1171626A

公开(公告)日：1998-01-28

申请号：CN97101032.3

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/76 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 一种制造半导体器件的方法,该半导体器件有P型发射极层、N型基极层、P型收集极层、P收集极接触层以及氧化物隔离层,该方法包括下列步骤:在衬底上形成氮化物膜;形成氧化物隔离层;形成P型收集极层;形成收集极接触－基极防止漏电层;形成N型基层;以及形成P型收集极接触层并形成P型发射极层。其中,杂质浓度高于P型收集极层的收集极接触－基极间防止漏电层形成在P型收集极层与氧化物隔离层相接触的区域内,以防止漏电。

公开(公告)号：CN1093493A

公开(公告)日：1994-10-12

申请号：CN94103433.X

申请日：1994-03-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井健裕 ,  田中光男 ,  堀敦 ,  下村浩 ,  堀川良彦

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/70 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/8249 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 在具有NPN双极晶体管的耐高压半导体器件中，在P型半导体衬底的表面区域内形成了一个氧化物隔离层和一个至少有一部分与氧化物隔离层相接触的P型收集极层。在该P型收集极层上形成有P型收集极接触层。在其表面侧无P型收集极接触层的区域内形成N型基极层。一个P型发射极层形成在N型基极层上。杂质浓度高于P型收集极层的收集极接触——基极间P型防止漏电层形成在P型收集极层与氧化物隔离层相接触的区域内，以防止漏电流。

公开(公告)号：CN86101884A

公开(公告)日：1986-11-12

申请号：CN86101884

申请日：1986-03-22

申请人： ITT工业公司

发明人： 彼得·丹尼斯·斯科维尔 ,  彼得·夫里德·布洛姆利 ,  罗格·莱斯利·巴克 ,  加里·约翰·托姆金斯

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L21/0337 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011 ,  Y10S148/124

摘要： 一种全自对准的多晶硅发射极双极晶体管。用发射极台面(7)的氧化侧壁(8)(侧壁隔离层)作为P+基极接触注入的掩膜，可实现P+基极接触(12)的自对准。采用与发射极台面(7)相同的多晶硅所确定的多晶硅对准台面(14)的氧化侧壁(17)，可获得收集极接触(13)的对准，但对准台面是淀积在氧化物(2)上，而不是淀积在被注入的基区(5)之上。

公开(公告)号：CN1110859C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN97110996.6

申请日：1997-04-29

申请人： 摩托罗拉公司

发明人： 曹汉亚(音译)

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L21/70 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/402 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7813 ,  Y10S148/009 ,  Y10S148/01

摘要： 双极型晶体管，包括收集区、集电区中的基区和在基区内的发射区。导电体的一部分位于双极型晶体管的基区宽度之上。使发射区自对准于导电体构成的某部分，最好使发射区扩散进入基区，以便减少基区宽度而不依赖于在基区和导电体构成的该部分之间的非常精确的对准。导电体构成的该部分用于耗尽双极型晶体管的基区宽度的一部分。

公开(公告)号：CN1170238A

公开(公告)日：1998-01-14

申请号：CN97110996.6

申请日：1997-04-29

申请人： 摩托罗拉公司

发明人： 曹汉亚(音译)

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L21/70 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/402 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7813 ,  Y10S148/009 ,  Y10S148/01

摘要： 双极型晶体管,包括收集区、集电区中的基区和在基区内的发射区。导电体的一部分位于双极型晶体管的基区宽度之上。使发射区自对准于导电体构成的某部分,最好使发射区扩散进入基区,以便减少基区宽度而不依赖于在基区和导电体构成的该部分之间的非常精确的对准。导电体构成的该部分用于耗尽双极型晶体管的基区宽度的一部分。

公开(公告)号：CN1092559A

公开(公告)日：1994-09-21

申请号：CN94101094.5

申请日：1994-01-28

申请人： 国民半导体公司

发明人： 阿利·A·伊朗曼奈施

IPC分类号： H01L29/44 ,  H01L29/73 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/732 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011

摘要： 一种双极晶体管，其发射极围绕基极，该晶体管具有高比例的发射极区和基区面积之比以及低的集电极和发射极阻抗，进而，该晶体管的集电极接触区由基极围绕，结果，可以得到低的集电极阻抗。

公开(公告)号：CN1009887B

公开(公告)日：1990-10-03

申请号：CN86101209

申请日：1986-02-26

申请人： 标准电话电报公共有限公司

发明人： 彼得·丹尼斯·斯科维尔 ,  彼得·弗里德·布洛姆利 ,  罗格·莱斯利·贝克 ,  加里·约翰·托姆金斯

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L21/0337 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011 ,  Y10S148/124

摘要： 一种完全自对准的多晶硅发射极双极晶体管P+基极接触(12)的自对准是通过利用发射极台面(7)的氧化侧壁(8)(侧壁隔层)作为P+基极接触注入掩模的一部分而获得的，集成极接触(13)的对准是利用多晶硅对准台面(14)的氧化侧壁而获得的，该对准台面限定在同发射极台面(7)样的多晶硅中，但淀积在氧化物(2)上，而不是淀积在注入的基区(5)中。