烧成装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102066862A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201080001914.X

    申请日:2010-05-25

    摘要: 本发明的课题在于提供一种可在抑制烧成不均的同时、实现生产性的提高的烧成装置。本发明的烧成装置的特征为,包括:炉体(13),该炉体(13)具有内部空间且在该内部空间中对粉体状或粒体状的被处理物(11)进行烧成;气体喷出部(21),该气体喷出部(21)具有从在所述炉体(13)的内部空间中进行传送的所述被处理物(11)的上方喷出气氛气体的开口;气体提供部(18),该气体提供部(18)从所述炉体(13)的侧壁(13c)向所述气体喷出部(21)提供所述气氛气体;及加热部(24a、24b),该加热部(24a、24b)控制所述炉体(13)的内部空间的温度分布。

    热处理装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102748941B

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201210113436.2

    申请日:2012-04-17

    IPC分类号: F27B9/04

    摘要: 本发明提供一种不需要多余的空间和追加的热源而对保护气进行预热,实现与被处理物接触的气体的温度的均匀化,且能够抑制热处理不均的热处理装置。供给保护气的气体供给管(19)具备内侧管(27)和外侧管(28),内侧管(27)具有气体喷出口(30),外侧管(28)设置在内侧管(27)的外侧且具有气体喷出口(31),在将气体喷出口(30)的轮廓向外侧管(28)的内壁面垂直投影时的投影图中,气体喷出口(30)与气体喷出口(31)不重叠,由此,从炉体外部向内侧管(27)导入的保护气在通过内侧管(27)的内部、及内侧管(27)与外侧管(28)的间隙的期间被炉内温度预热。其结果是,将均匀的温度的保护气向被处理物(11)供给。

    烧成装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102066862B

    公开(公告)日:2013-02-27

    申请号:CN201080001914.X

    申请日:2010-05-25

    摘要: 本发明的课题在于提供一种可在抑制烧成不均的同时、实现生产性的提高的烧成装置。本发明的烧成装置的特征为,包括:炉体(13),该炉体(13)具有内部空间且在该内部空间中对粉体状或粒体状的被处理物(11)进行烧成;气体喷出部(21),该气体喷出部(21)具有从在所述炉体(13)的内部空间中进行传送的所述被处理物(11)的上方喷出气氛气体的开口;气体提供部(18),该气体提供部(18)从所述炉体(13)的侧壁(13c)向所述气体喷出部(21)提供所述气氛气体;及加热部(24a、24b),该加热部(24a、24b)控制所述炉体(13)的内部空间的温度分布。

    热处理装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102748941A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201210113436.2

    申请日:2012-04-17

    IPC分类号: F27B9/04

    摘要: 本发明提供一种不需要多余的空间和追加的热源而对保护气进行预热,实现与被处理物接触的气体的温度的均匀化,且能够抑制热处理不均的热处理装置。供给保护气的气体供给管(19)具备内侧管(27)和外侧管(28),内侧管(27)具有气体喷出口(30),外侧管(28)设置在内侧管(27)的外侧且具有气体喷出口(31),在将气体喷出口(30)的轮廓向外侧管(28)的内壁面垂直投影时的投影图中,气体喷出口(30)与气体喷出口(31)不重叠,由此,从炉体外部向内侧管(27)导入的保护气在通过内侧管(27)的内部、及内侧管(27)与外侧管(28)的间隙的期间被炉内温度预热。其结果是,将均匀的温度的保护气向被处理物(11)供给。

    ScAlMgO4单晶基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN110284183B

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN201910197077.5

    申请日:2019-03-15

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/22

    摘要: 本发明提供一种ScAlMgO4单晶基板及其制造方法,其能够减少晶向的错乱。提供一种ScAlMgO4单晶基板,将基板的中心设为坐标(0,0),且将测定光束的宽度设为1mm×7mm,在用X射线衍射法分别对在x轴方向上以1mm的间隔从(x‑m,0)到(xm,0)和在y轴方向上以1mm的间隔从(0,y‑n)到(0,yn)的坐标位置进行分析时,各所述坐标位置处的摇摆曲线的半峰全宽的最差值小于20秒,其中,m及n是使所述测定光束收敛在不超出基板的范围内的整数。

    ScAlMgO4单晶基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN110284183A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910197077.5

    申请日:2019-03-15

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/22

    摘要: 本发明提供一种ScAlMgO4单晶基板及其制造方法,其能够减少晶向的错乱。提供一种ScAlMgO4单晶基板,将基板的中心设为坐标(0,0),且将测定光束的宽度设为1mm×7mm,在用X射线衍射法分别对在x轴方向上以1mm的间隔从(x-m,0)到(xm,0)和在y轴方向上以1mm的间隔从(0,y-n)到(0,yn)的坐标位置进行分析时,各所述坐标位置处的摇摆曲线的半峰全宽的最差值小于20秒,其中,m及n是使所述测定光束收敛在不超出基板的范围内的整数。

    漂浮搬运方法及漂浮搬运装置

    公开(公告)号:CN102336342B

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201110184725.7

    申请日:2011-06-21

    IPC分类号: B65H5/22

    摘要: 一种能稳定地搬运带状物的漂浮搬运方法及漂浮搬运装置。交替反复进行第一气体喷出工序和第二气体喷出工序来搬运带状物(30),其中,在所述第一气体喷出工序中,从第一横向移动喷嘴(8)对所要搬运的带状物(30)的下表面喷出气体,从而使带状物(30)朝与带状物(30)的搬运方向正交的第一方向移动,在所述第二气体喷出工序中,从第二横向移动喷嘴(9)对带状物(30)的下表面喷出气体,从而使带状物(30)朝与第一方向相反的第二方向移动。

    漂浮搬运方法及漂浮搬运装置

    公开(公告)号:CN102336342A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201110184725.7

    申请日:2011-06-21

    IPC分类号: B65H5/22

    摘要: 一种能稳定地搬运带状物的漂浮搬运方法及漂浮搬运装置。交替反复进行第一气体喷出工序和第二气体喷出工序来搬运带状物(30),其中,在所述第一气体喷出工序中,从第一横向移动喷嘴(8)对所要搬运的带状物(30)的下表面喷出气体,从而使带状物(30)朝与带状物(30)的搬运方向正交的第一方向移动,在所述第二气体喷出工序中,从第二横向移动喷嘴(9)对带状物(30)的下表面喷出气体,从而使带状物(30)朝与第一方向相反的第二方向移动。