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公开(公告)号:CN1871713A
公开(公告)日:2006-11-29
申请号:CN200480031178.7
申请日:2004-11-11
申请人: 松下电工株式会社
IPC分类号: H01L33/00 , H01L21/308
CPC分类号: H01L33/44 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种发光元件的生产方法,用于生产在透明晶体基板(2)上层积至少包括n型基板支持层(3)及p型基板支持层(4)的发光层的发光元件(1),该生产方法包括在透明晶体基板(2)或发光层(3)、(4)的至少一部分形成转写层(5)的步骤,该转写层通过所供给的能量软化或固化;将形成有微小凹凸结构(61)的模具(6)按压在转写层(5)上,使该微小凹凸结构(61)转写至转写层(5)的外表面的步骤;基于被转写至转写层(5)的微小凹凸结构,形成防止多重反射的微小凹凸结构的步骤。
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公开(公告)号:CN100472824C
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200480031178.7
申请日:2004-11-11
申请人: 松下电工株式会社
IPC分类号: H01L33/00 , H01L21/308
CPC分类号: H01L33/44 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种发光元件的生产方法,用于生产在透明晶体基板(2)上层积至少包括n型基板支持层(3)及p型基板支持层(4)的发光层的发光元件(1),该生产方法包括在透明晶体基板(2)或发光层(3)、(4)的至少一部分形成转写层(5)的步骤,该转写层通过所供给的能量软化或固化;将形成有微小凹凸结构(61)的模具(6)按压在转写层(5)上,使该微小凹凸结构(61)转写至转写层(5)的外表面的步骤;基于被转写至转写层(5)的微小凹凸结构,形成防止多重反射的微小凹凸结构的步骤。
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