公开(公告)号：CN114868259A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202080089346.7

申请日：2020-11-13

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 武田英治 ,  冈本慎也

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/10

Abstract: 本发明提供的光器件(1)具备：硅基板(10)，其主面的晶面的面取向为(111)面，且在该主面设置有凹凸结构(11)；以及导电体(20)，其与硅基板(10)进行肖特基接合；其中，导电体(20)与凹凸结构(11)中的凸部(11a)及凹部(11b)中的至少一者的(111)面直接接合。

公开(公告)号：CN119301828A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043994.2

申请日：2023-05-26

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 中村将 ,  冈本慎也 ,  久田和也 ,  稻田安寿 ,  能泽克弥

IPC: H01S3/13 ,  H01S3/00 ,  H01S3/23

Abstract: 激光装置(100)具备：第一光梳激光器(10)；第二光梳激光器(20)，重复频率与第一光梳激光器(10)的重复频率不同；检测部(70)，检测由来自第一光梳激光器(10)的输出光和来自第二光梳激光器(20)的输出光形成的干涉光；以及控制电路(90)。控制电路(90)基于检测部(70)的输出来控制作为第一光梳激光器(10)的载波包络偏移频率的第一CEO频率、以及作为第二光梳激光器(20)的载波包络偏移频率的第二CEO频率中的至少一方，从而使作为第一CEO频率与第二CEO频率之差的差频变化。

公开(公告)号：CN118355245A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202280079438.6

申请日：2022-07-29

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 冈本慎也 ,  能泽克弥 ,  中村将 ,  稻田安寿

IPC: G01C3/06 ,  G01S7/481 ,  G01S17/10 ,  G01S17/32 ,  G02F1/37

Abstract: 测距系统(100)具备：光源(11)；波长转换模块(12)，通过对从光源(11)射出的光(L0)的基波(L1)的一部分进行波长转换，从而产生作为引导光向对象物(S)照射的高次谐波(G1)；光电探测器(14)，检测穿过波长转换模块(12)后的基波(L1)被对象物(S)反射所产生的反射光(L1r)；以及信号处理部(15)，基于光电探测器(14)的检测结果来计算到对象物(S)为止的距离。

公开(公告)号：CN110121789A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201880005587.1

申请日：2018-08-27

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 冈本慎也 ,  四桥聪史 ,  平泽拓

IPC: H01L31/108 ,  B82Y30/00 ,  C25B1/10 ,  C25B9/00 ,  C25B11/04 ,  C25B11/06 ,  H01M8/0606

Abstract: 一种光器件，其具备：第1金属和功函数比上述第1金属低的第2金属的金属间化合物、或者上述第1金属和上述第2金属的固溶体合金；和与上述金属间化合物或上述固溶体合金进行肖特基接合的n型半导体。

公开(公告)号：CN113544086A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080018286.X

申请日：2020-01-31

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 冈本慎也 ,  石川笃 ,  稻田安寿

IPC: B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/108 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C25B11/081 ,  C25B11/087 ,  C25B11/075 ,  C25B11/089

Abstract: 本申请的光器件(100A)具备纳米结构体(11)、合金层(12)和n型半导体(13)，上述纳米结构体(11)被光照射时诱发表面等离激元共振，上述合金层(12)与上述纳米结构体(11)相接，并且功函数比上述纳米结构体(11)低，上述n型半导体(13)与上述合金层(12)进行肖特基接合。上述纳米结构体(11)由选自单金属、合金、金属氮化物以及导电性氧化物中的一种构成。上述合金层(12)由至少两种金属构成。

公开(公告)号：CN113518754A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202080018289.3

申请日：2020-01-27

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 冈本慎也 ,  稻田安寿 ,  石川笃

IPC: B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/108

Abstract: 本申请的光器件(100A)具备纳米结构体(11)、氧化物层(12)、合金层(13)和n型半导体(14)，上述纳米结构体(11)被光照射时诱发表面等离激元共振，上述氧化物层(12)与上述纳米结构体(11)相接，上述合金层(13)与上述氧化物层(12)相接并且包含功函数互不相同的第一金属及第二金属，上述n型半导体(14)与上述合金层(13)进行肖特基接合。