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公开(公告)号：CN118266083A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280076350.9
申请日：2022-11-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 摄像装置具备：像素部，包括像素；周边电路部，被设置于像素部的周围，且包括周边电路；以及中间层，跨像素部与周边电路部延伸。周边电路部包括：遮光膜，位于中间层的上方；至少1个第1布线，位于中间层内，且含有铝；以及至少1个遮断层，位于至少1个第1布线与遮光膜之间。
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公开(公告)号：CN110650300B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201910413910.5
申请日：2019-05-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 目的是提供一种能够在降低复位噪声的同时实现高速化的摄像装置。一种摄像装置，具备：沿着第1方向排列的第1像素及第2像素，分别包括光电变换部、电荷蓄积部、源极及漏极中的一方连接至电荷蓄积部的第1晶体管、栅极连接至电荷蓄积部的第2晶体管；第1配线及第2配线，沿着第1方向延伸；第1电压供给电路，经由第1配线连接至第1像素的第1晶体管，生成使第1像素的第1晶体管开启的第1电压与使第1像素的第1晶体管关闭的第2电压之间的第3电压；第2电压供给电路，经由第2配线连接至第2像素的第1晶体管，生成使第2像素的第1晶体管开启的第4电压与使第2像素的第1晶体管关闭的第5电压之间的第6电压。
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公开(公告)号：CN106954008B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201611013989.5
申请日：2016-11-18
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N5/225
Abstract: 本发明提供能够容易切换较广动态范围模式和高分辨率模式的摄像装置。本发明的摄像装置具有：对置电极；第1像素电极，与对置电极对置；第2像素电极，与对置电极对置；第3像素电极，与对置电极对置；光电变换层，被夹在所述第1像素电极、所述第2像素电极及所述第3像素电极与对置电极之间；第1信号检测电路，与第1像素电极电连接；第2信号检测电路，与第2像素电极电连接；第1开关元件，连接于第3像素电极和第1信号检测电路之间；以及第2开关元件，连接于第3像素电极和第2信号检测电路之间。
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公开(公告)号：CN106993141B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201611025004.0
申请日：2016-11-22
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供结构更简洁且能够进行较宽动态范围的摄影的摄像装置。本发明的摄像装置具有包括第1光电变换部、和检测在第1光电变换部产生的电信号的第1信号检测电路的第1摄像单元，第1信号检测电路包括：第1晶体管，其源极及漏极中一方与第1光电变换部电连接；第1电容元件，其一端与第1晶体管的源极及漏极中另一方电连接，另一端被施加基准电位；以及第2晶体管，其栅极与第1光电变换部电连接，第1摄像单元在1帧期间内依次输出第1晶体管截止的状态的信号即第1图像信号和第1晶体管导通的状态的信号即第2图像信号。
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公开(公告)号：CN107277396A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710066006.2
申请日：2017-02-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 减小多个像素单元之间的、像素单元内的晶体管的导通/截止的定时的偏差。本申请的摄像装置具备：第1像素单元，包括第1光电变换部和与第1光电变换部电连接的第1晶体管；第2像素单元，包括第2光电变换部和与第2光电变换部电连接的第2晶体管；第1缓冲器电路，具有第1输入端子和第1输出端子，用于控制第1晶体管的信号输入至第1输入端子；第2缓冲器电路，具有第2输入端子和第2输出端子，用于控制第2晶体管的信号输入至第2输入端子；第1控制信号线，将第1输出端子与第1晶体管的控制端子连接；以及第2控制信号线，将第2输出端子与第2晶体管的控制端子连接；第1控制信号线及第2控制信号线相互连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116491127A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079297.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 摄像装置具备：光电转换层，具有第1面以及与第1面对置的第2面，生成信号电荷；至少1个像素电极，位于光电转换层的第1面上；控制电极，位于光电转换层的第1面上；对置电极，位于光电转换层的第2面上，与控制电极及至少1个像素电极对置；以及电荷积蓄部，与至少1个像素电极连接，积蓄信号电荷。存在将至少1个像素电极上的2点连结且在平面图中与控制电极重叠的线段。
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公开(公告)号：CN110071126A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201811598162.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明目的是使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。摄像装置具备：半导体基板，具有排列多个像素的像素区域和与像素区域邻接的周边区域；绝缘层，将半导体基板的像素区域及周边区域覆盖；第1电极，在像素区域中位于绝缘层之上；光电变换层，将第1电极覆盖；第2电极，将光电变换层覆盖；检测电路，位于半导体基板的像素区域，连接至第1电极；周边电路，位于半导体基板的周边区域，连接至检测电路；以及第3电极，在周边区域中位于绝缘层之上；第2电极延伸到周边区域而连接至第3电极；第3电极与第2电极连接的连接区域在俯视时与周边电路重叠。
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公开(公告)号：CN108337409A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201711455882.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H04N5/35518 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L29/42372 , H04N5/355 , H04N5/35563 , H04N5/363 , H04N5/378 , H04N5/2253 , H04N5/2355 , H04N5/3355
Abstract: 提供一种能够进行宽动态范围摄影的摄像装置及照相机系统。摄像装置具备：第1摄像单元，包括通过光电变换生成第1信号的第1光电变换部和被电连接在上述第1光电变换部上并检测上述第1信号的第1信号处理电路；第2摄像单元，包括通过光电变换生成第2信号的第2光电变换部和被电连接在上述第2光电变换部上并检测上述第2信号的第2信号处理电路；上述第1摄像单元的感光度比上述第2摄像单元的感光度高；上述第1信号处理电路具有与上述第2信号处理电路不同的电路结构；上述第1信号处理电路的动作频率与上述第2信号处理电路的动作频率不同。
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公开(公告)号：CN118922944A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380029923.7
申请日：2023-01-10
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/617 , H04N25/70
Abstract: 摄像装置具备：半导体基板；布线层，位于半导体基板上，且包括多个布线；多个像素电极，各自位于布线层上，且与多个像素中的各个像素一对一地对应；屏蔽电极，位于布线层上，且被配置在多个像素电极之间；对置电极，位于多个像素电极及屏蔽电极的上方；以及光电转换层，位于多个像素电极及屏蔽电极与对置电极之间。布线层包括：屏蔽布线(107)；以及多个FD布线(110)，各自与多个像素电极连接且与多个像素电极中的各个像素电极一对一地对应。屏蔽布线(107)与屏蔽电极连接。屏蔽布线(107)包括：在平面图中各自与多个FD布线(110)之中的至少1个FD布线(110)重叠的多个开口部(71)。
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公开(公告)号：CN116195267A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180061810.6
申请日：2021-09-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N25/57
Abstract: 摄像装置具备：对置电极；光电转换层，将光转换为信号电荷；多个像素电极，各自收集信号电荷，所述多个像素电极具有多个组，该多个组的各个组包括高灵敏度像素所包括的第1像素电极、以及低灵敏度像素所包括的第2像素电极；以及辅助电极，在平面图中位于多个组的各个组中的第1像素电极与第2像素电极之间，被共通地包括在高灵敏度像素和低灵敏度像素中。在多个组的各个组中，第1像素电极与辅助电极之间的距离不同于第2像素电极与辅助电极之间的距离。
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