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公开(公告)号：CN112673483B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202080005031.X
申请日：2020-03-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L31/0248 , H10K30/60 , H01L31/08 , H01L31/10 , H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 本申请的一个方案的摄像装置具备：半导体基板；多个像素电极，其位于半导体基板的上方，且分别与半导体基板电连接；对置电极，其位于多个像素电极的上方；第1光电转换层，其位于多个像素电极与对置电极之间；和至少一个第1遮光体，其位于第1光电转换层内或第1光电转换层的上方。第1光电转换层包含：半导体型碳纳米管，其将第1波长范围的光吸收；和有机分子，其将半导体型碳纳米管覆盖，且吸收第2波长范围的光并发出第3波长范围的荧光。至少一个第1遮光体将第2波长范围的至少一部分波长的光吸收或反射。
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公开(公告)号：CN108695356B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810285958.8
申请日：2018-04-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种摄像装置，其能够以简易的像素电路构成实现全局快门功能。摄像装置具备多个单位像素单元，多个单位像素单元分别具备：光电转换部以及与第一电极电连接的信号检测电路，光电转换部包括：第一电极，其包含第一导电性材料；第二电极，其与第一电极相对置；光电转换层，其位于第一电极与第二电极之间，包含第一光电转换材料；和电子阻挡层，其位于第一电极与光电转换层之间，包含电子阻挡材料，其中，电子阻挡材料的电离电势大于第一导电性材料的功函数，且大于第一光电转换材料的电离电势，光电转换部具有光电流特性：在第一电极与第二电极之间施加偏压时，存在第一电压范围，第一电压范围的宽度为0.5V以上。
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公开(公告)号：CN112075073A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980029993.6
申请日：2019-06-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N5/369 , H01L27/146 , H04N5/341 , H04N5/355 , H04N5/374
Abstract: 摄像装置(100)具备像素阵列(PA)。在1个帧中，第1期间、第3期间和第2期间按照该第1期间、第3期间和第2期间的顺序出现。在第1期间中，进行像素阵列(PA)中的第1至少1个行的像素信号读出。在第2期间中，进行像素阵列(PA)中的第2至少1个行的像素信号读出。第1至少1个行及第2至少1个行的至少一方包含像素阵列(PA)中的2个行。在第3期间中，不进行像素阵列(PA)的任何行的像素信号读出。第1期间及第2期间是高灵敏度曝光期间及低灵敏度曝光期间中的一方。第3期间是高灵敏度曝光期间及低灵敏度曝光期间中的另一方。
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公开(公告)号：CN108391068A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711465070.4
申请日：2017-12-28
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 本发明能够抑制摄像单元内的电路的复杂化，并且可以提高摄影时的灵活性。本公开的摄像装置，其包括：摄像单元，包括光电变换部和电荷检测电路，所述光电变换部包含：第1电极；第2电极；以及所述第1电极和所述第2电极之间的光电变换层，并且通过光电变换生成信号电荷，所述电荷检测电路与所述第1电极连接，并检测所述信号电荷；信号线，与所述第1电极电结合；以及电压供给电路，选择性地向所述信号线供给第1电压、以及与所述第1电压不同的第2电压。
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公开(公告)号：CN108391045A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711406035.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 提供能够容易地切换拍摄波段的拍摄装置的控制方法以及拍摄装置。作为动作模式而能够将以第1拍摄波段进行拍摄的第1模式和以与第1拍摄波段不同的拍摄波段进行拍摄的第2模式进行切换的拍摄装置(110)的控制方法，在动作模式为第1模式的情况下，基于在第1模式及第2模式下得到的信息，判定在环境光中是否包含近红外光，在环境光中包含近红外光的情况下使第1模式继续，在环境光中不包含近红外光的情况下将动作模式切换为第2模式，在动作模式为第2模式的情况下，基于在第1模式及第2模式下得到的信息，判定在环境光中是否包含近红外光，在环境光中包含近红外光的情况下将动作模式切换为第1模式，在环境光中不包含近红外光的情况下使第2模式继续。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119817111A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380061903.8
申请日：2023-07-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 德原健富
Abstract: 摄像装置，具备：光电变换部，包括对置电极、像素电极及光电变换层；电压供给电路(150)，对对置电极供给第1电压；检测电路(130)，输出与像素电极的电位变化对应的信号，像素电极的电位变化是与向光电变换部的入射光量相应的变化；以及图像处理电路(160)，对来自检测电路(130)的信号进行修正。光电变换部具有如下光电变换特性：当对置电极与像素电极之间的电位差在第1电压范围内时，在对置电极与像素电极之间流动的光电流相对于电位差线性地变化。电压供给电路(160)基于根据电位差在第1电压范围内时的相对于向光电变换部的入射光量的像素电极的电位变化来导出的变换函数，对信号进行修正，以使输出相对于向光电变换部的入射光量线性地变化。
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公开(公告)号：CN112075072B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201980029941.9
申请日：2019-08-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N25/531 , H04N25/533 , H04N25/589 , H04N25/78 , H01L27/146
Abstract: 摄像装置(100)具备像素阵列(PA)。在第1帧中，第1期间、第3期间和第2期间按照该第1期间、第3期间和第2期间的顺序出现。在第1期间中，进行像素阵列(PA)中的第1行的像素信号读出。在第2期间中，进行像素阵列(PA)中的第2行的像素信号读出。第1期间及第2期间是高灵敏度曝光期间。第3期间是低灵敏度曝光期间。
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公开(公告)号：CN112385049B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201980042953.5
申请日：2019-10-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L27/146
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够进行窄带的摄像的鲁棒且能够便宜地制造的光传感器(100)。光传感器(100)具备：光电变换层(10)；以及长通滤波器(60)，配置在上述光电变换层(10)的上方，有选择地使所入射的光中的具有起始波长(λC)以上的波长的成分透射。上述光电变换层(10)具有对于比上述长通滤波器(60)的上述起始波长(λC)长的第1波长(λ1)呈现第1峰值(Pk1)的光谱灵敏度特性。上述起始波长(λC)下的上述光电变换层(10)的光谱灵敏度是上述第1波长(λ1)下的上述光电变换层(10)的光谱灵敏度的0％以上50％以下。
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公开(公告)号：CN109494302B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201810800181.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H10N97/00 , H01L27/146
Abstract: 本申请的一个方案的电容元件具备：第一电极；第二电极，该第二电极与上述第一电极相对置地配置；以及电介质层，该电介质层位于上述第一电极与上述第二电极之间，并且与上述第一电极和上述第二电极分别接触。上述电介质层的膜厚为10nm以上。上述第一电极含有碳。上述电介质层与上述第一电极接触的界面处的碳的元素比为30原子％以下。
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公开(公告)号：CN116491127A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079297.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 摄像装置具备：光电转换层，具有第1面以及与第1面对置的第2面，生成信号电荷；至少1个像素电极，位于光电转换层的第1面上；控制电极，位于光电转换层的第1面上；对置电极，位于光电转换层的第2面上，与控制电极及至少1个像素电极对置；以及电荷积蓄部，与至少1个像素电极连接，积蓄信号电荷。存在将至少1个像素电极上的2点连结且在平面图中与控制电极重叠的线段。
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