摄像装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109075182B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN201780022794.3

    申请日:2017-06-29

    摘要: 本公开的摄像装置具备包括光电变换部的至少1个单位像素单元和电压施加电路。光电变换部包括第1电极、透光性的第2电极、包含第1材料的第1光电变换层及包含第2材料的第2光电变换层。第1光电变换层的阻抗比第2光电变换层的阻抗大。电压施加电路有选择地将第1电压及绝对值比第1电压大的第2电压的某个向第1电极与第2电极之间施加。

    摄像装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106576145B

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201680002194.6

    申请日:2016-06-20

    IPC分类号: H04N5/355 H04N5/232

    摘要: 摄像装置(100)包括多个单位像素单元(121),多个单位像素单元中包含的单位像素单元在1帧内的第1曝光期间中取得第1摄像数据,在1帧内的与第1曝光期间不同的第2曝光期间中取得第2摄像数据,单位像素单元的每单位时间的敏感度在第1曝光期间和第2曝光期间是不同的。摄像装置(100)输出至少包括第1摄像数据和第2摄像数据的多重曝光图像数据。

    摄像装置及相机系统、以及摄像装置的驱动方法

    公开(公告)号:CN110139047A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201811632420.6

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: H04N5/369 H01L27/30

    摘要: 本发明提供摄像装置、相机系统及摄像装置的驱动方法。摄像装置具备:光电变换部,包括第1、第2电极及位于两电极之间的光电变换层;电压供给电路,向两电极中的一方供给电压;输出电路,与第2电极电连接,输出与第2电极的电位相应的信号;和检测电路,检测来自输出电路的信号的电平;光电变换部具有以下光电变换特性:向两电极之间施加的偏压处于第1电压范围时的光电变换效率的变化率大于处于比第1电压范围高的第2电压范围时;电压供给电路在上述电平是第1阈值以上时,向两电极中的一方施加电压以使两电极之间的电位差成为第1电位差,在比第1阈值以下的第2阈值低时,向上述一方施加电压以使电位差成为比第1电位差大的第2电位差。

    摄像装置及相机系统、以及摄像装置的驱动方法

    公开(公告)号:CN110139047B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN201811632420.6

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: H04N25/70 H10K39/32

    摘要: 本发明提供摄像装置、相机系统及摄像装置的驱动方法。摄像装置具备:光电变换部,包括第1、第2电极及位于两电极之间的光电变换层;电压供给电路,向两电极中的一方供给电压;输出电路,与第2电极电连接,输出与第2电极的电位相应的信号;和检测电路,检测来自输出电路的信号的电平;光电变换部具有以下光电变换特性:向两电极之间施加的偏压处于第1电压范围时的光电变换效率的变化率大于处于比第1电压范围高的第2电压范围时;电压供给电路在上述电平是第1阈值以上时,向两电极中的一方施加电压以使两电极之间的电位差成为第1电位差,在比第1阈值以下的第2阈值低时,向上述一方施加电压以使电位差成为比第1电位差大的第2电位差。

    摄像装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112640433B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN201980056428.9

    申请日:2019-10-17

    摘要: 摄像装置(101)具备第1像素(11)。第1像素(11)具有光电转换部(15)、第1电容元件(71)和第1晶体管(72)。光电转换部(15)将入射光转换为信号电荷。第1电容元件(71)包含至少在曝光的期间中与光电转换部(15)电连接的第1端子(71a)、以及第2端子(71b)。第1晶体管(72)包含第1源极和第1漏极,第1源极及第1漏极中的一方与第2端子(71b)电连接,第1源极及第1漏极中的另一方被施加直流电位。

    摄像装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109075181B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN201780022788.8

    申请日:2017-06-29

    摘要: 本公开的摄像装置具备包括将入射的光变换为电荷的光电变换部的至少1个单位像素单元。光电变换部包括:第1电极;透光性的第2电极;第1光电变换层,配置在第1电极及第2电极之间,包含对于第1波长具有吸收峰值的第1材料;以及第2光电变换层,配置在第1电极及第2电极之间,包含对于与第1波长不同的第2波长具有吸收峰值的第2材料。第1材料的电离电位的绝对值比第2材料的电离电位的绝对值大0.2eV以上。

    摄像装置及照相机系统
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108337409B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201711455882.0

    申请日:2017-12-28

    IPC分类号: H04N5/225 H04N5/235 H04N5/335

    摘要: 提供一种能够进行宽动态范围摄影的摄像装置及照相机系统。摄像装置具备:第1摄像单元,包括通过光电变换生成第1信号的第1光电变换部和被电连接在上述第1光电变换部上并检测上述第1信号的第1信号处理电路;第2摄像单元,包括通过光电变换生成第2信号的第2光电变换部和被电连接在上述第2光电变换部上并检测上述第2信号的第2信号处理电路;上述第1摄像单元的感光度比上述第2摄像单元的感光度高;上述第1信号处理电路具有与上述第2信号处理电路不同的电路结构;上述第1信号处理电路的动作频率与上述第2信号处理电路的动作频率不同。

    光电转换元件及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110197875A

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201910011990.1

    申请日:2019-01-07

    摘要: 本申请的一个方案的光电转换元件的制造方法包含下述工序:准备基体的工序,所述基体包含:具有主表面的半导体基板、位于所述主表面的上方的第一电极、位于所述主表面的上方且一维或二维地排列的多个第二电极、和至少覆盖所述多个第二电极的光电转换膜;在所述光电转换膜上形成掩模层的工序,所述掩模层包含覆盖所述光电转换膜中的俯视时与所述多个第二电极重叠的部分的被覆部、并且具有导电性;和通过将所述基体和所述掩模层浸渍到蚀刻剂中从而将所述光电转换膜的一部分除去的工序。