公开(公告)号：CN115595658A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211323127.8

申请日：2022-10-27

申请人： 松山湖材料实验室(CN) ,  中科晶益(东莞)材料科技有限责任公司(CN)

发明人： 丁志强 ,  张志强 ,  何梦林 ,  黄智 ,  乐湘斌 ,  王恩哥

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B1/02 ,  C30B29/02 ,  C25D5/50 ,  C25D5/54 ,  C25D3/38 ,  C25D1/20 ,  H05K1/09 ,  H05K3/00

摘要： 本申请涉及铜材制备技术领域，具体而言，涉及一种低传输损耗单晶铜材及其制备方法、PCB板及其制备方法和电子元器件。低传输损耗单晶铜材的制备方法包括：于氩气和氢气的混合气氛围中，800‑1065℃的温度条件下，在表面为石墨烯层的衬底上形成单晶铜层，将单晶铜层从衬底上剥离；其中，混合气中，氩气和氢气的体积比为(10‑20)：1。本申请提供的低传输损耗单晶铜材的制备方法可显著降低形成的铜材的表面粗糙度Rz，进而有利于进一步降低整个低传输损耗单晶铜材的传输损耗，且制备方法简单易行。