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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1780935A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011366.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
CPC classification number: C23C16/45595 , C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/505 , C23C16/56 , Y10T428/31504
Abstract: 一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：第一工序，在大气压下或接近大气压下，将放电气体提供到产生高频电场A的第一放电空间并进行激励，将上述已激励的放电气体的能量传送给薄膜形成气体，进行激励，将基材暴露于上述已激励的薄膜形成气体，由此在上述基材上形成薄膜；第二工序，将含有氧化性气体的气体提供到产生高频电场B的第二放电空间并进行激励，将在上述第一工序中形成的上述薄膜暴露于含有上述已激励的氧化性气体的气体中。
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公开(公告)号：CN101333654A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810098597.2
申请日：2001-12-06
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC: C23C16/505 , H05H1/48
CPC classification number: G02B1/11 , C23C4/10 , C23C4/18 , C23C16/402 , C23C16/405 , C23C16/509 , C23C16/5093 , C23C16/545 , G02B1/10 , G02B1/115 , G02B1/14 , G02B1/16 , G02B1/18 , H01J37/32532
Abstract: 一种等离子体放电处理装置，通过在大气压或大气压附近的压力下，在对置的两种电极之间，以超过10kHz的高频电压供给1W/cm2以上的电力而放电，使反应性气体成为等离子态，通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底，在上述衬底上形成薄膜，其特征在于：上述衬底是长形膜，上述对置电极中的至少一个是与上述长形膜接触，且沿上述长形膜的传送方向旋转的辊电极；至少与上述辊电极对置的电极，是导电性母材被介电体覆盖的介电体覆盖电极；至少上述辊电极的与上述衬底相接触的面的表面粗糙度Rmax为10μm以下。
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公开(公告)号：CN101333654B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810098597.2
申请日：2001-12-06
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC: C23C16/505 , H05H1/48
CPC classification number: G02B1/11 , C23C4/10 , C23C4/18 , C23C16/402 , C23C16/405 , C23C16/509 , C23C16/5093 , C23C16/545 , G02B1/10 , G02B1/115 , G02B1/14 , G02B1/16 , G02B1/18 , H01J37/32532
Abstract: 一种等离子体放电处理装置，通过在大气压或大气压附近的压力下，在对置的两种电极之间，以超过10kHz的高频电压供给1W/cm2以上的电力而放电，使反应性气体成为等离子态，通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底，在上述衬底上形成薄膜，其特征在于：上述衬底是长形膜，上述对置电极中的至少一个是与上述长形膜接触，且沿上述长形膜的传送方向旋转的辊电极；至少与上述辊电极对置的电极，是导电性母材被介电体覆盖的介电体覆盖电极；至少上述辊电极的与上述衬底相接触的面的表面粗糙度Rmax为10μm以下。
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公开(公告)号：CN1780935B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200480011366.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
CPC classification number: C23C16/45595 , C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/505 , C23C16/56 , Y10T428/31504
Abstract: 一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：第一工序，在大气压下或接近大气压下，将放电气体提供到产生高频电场A的第一放电空间并进行激励，将上述已激励的放电气体的能量传送给薄膜形成气体，进行激励，将基材暴露于上述已激励的薄膜形成气体，由此在上述基材上形成薄膜；第二工序，将含有氧化性气体的气体提供到产生高频电场B的第二放电空间并进行激励，将在上述第一工序中形成的上述薄膜暴露于含有上述已激励的氧化性气体的气体中。
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公开(公告)号：CN100447296C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN01804728.9
申请日：2001-12-06
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
IPC: C23C16/505 , G02B1/10
CPC classification number: G02B1/11 , C23C4/10 , C23C4/18 , C23C16/402 , C23C16/405 , C23C16/509 , C23C16/5093 , C23C16/545 , G02B1/10 , G02B1/115 , G02B1/14 , G02B1/16 , G02B1/18 , H01J37/32532
Abstract: 一种薄膜形成方法，其特征在于：通过在20kPa～110kPa的压力下，在对置的两种电极之间，以不小于100kHz的高频电压供给1W/cm2以上的电力而放电，使反应性气体成为等离子态，通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底，在上述衬底上形成薄膜，其中，上述电极的至少一侧的放电面是在导电性母材上覆盖有介电体的介电体覆盖电极，以及，上述导电性母材和上述介电体的线热膨胀系数差为5×10-6/℃以下。
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