公开(公告)号：CN104508804B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201380041015.6

申请日：2013-07-25

申请人： 应用材料公司

发明人： J-G·杨 ,  X·陈 ,  朴书南 ,  白宗薰 ,  S·加格 ,  S·文卡特拉马

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/30

CPC分类号： H01J37/32091 ,  C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075

摘要： 所揭露的半导体处理系统包括处理腔室。该处理腔室包括上盖组件、栅电极、传导性插件，以及接地电极。每一部件耦接于一或多个电源，该等电源可运作以于该处理腔室内产生等离子体。每一部件经由置放数个绝缘构件而电气隔离。该一或多个电源利用切换机制而电气耦接于该处理腔室。开关可切换以使该一或多个电源电气耦接至该处理腔室的部件。

公开(公告)号：CN103243315B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310048363.8

申请日：2013-02-06

申请人： 克朗斯股份公司

发明人： 乔奇恩·克鲁格 ,  安德烈亚斯·松阿奥尔 ,  罗兰·格舍

IPC分类号： C23C16/507 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32394

摘要： 本发明提供电力喷枪和利用高频耦合的等离子体增强型涂覆。本发明涉及借助于等离子体处理来涂覆例如塑料瓶子的容器（102）的装置（100），所述装置（100）包括：至少一个高频源（109），位于待处理的容器（102）的外部的至少一个外部电极（103）以及用于将处理气体供应到容器（102）中的至少部分地导电的至少一个气体喷枪（101），其特征在于，至少一个外部电极（103）接地和/或与位于待处理的容器的外部的容器涂覆装置（100）的其他部件（诸如压力室部件或壳体部件）等电位，并且所述至少一个气体喷枪（101）能够将能够由所述高频源（109）产生的高频辐照到待处理的容器（102）的内部。

公开(公告)号：CN1759474A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200480006180.9

申请日：2004-03-04

申请人： 积水化学工业株式会社

发明人： 野上光秀 ,  宫本荣司

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32724

摘要： 等离子加工装置的喷嘴头(NH)包括：环形内保持器(3)；围绕内保持器(3)的环形内电极(11)；围绕内电极的环形外电极(21)；以及围绕外电极(21)的环形外保持器(4)。内保持器(3)设有多个螺栓(7)，所述螺栓以间距周向安置并用于径向向外挤压内电极(11)。外保持器(4)设有多个螺栓(8)，所述多个螺栓(8)以间距周向安置以径向向内挤压外电极(21)。使用此结构，环形电极(11、21)的卸装、安装和对心可以很容易进行。

公开(公告)号：CN106480431A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510630804.4

申请日：2015-09-29

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 翁志强 ,  蔡陈德 ,  王裕铭

IPC分类号： C23C16/509 ,  C23C16/26

CPC分类号： H01J37/32394 ,  B65D25/14 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/507 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/3321 ,  C23C16/5093

摘要： 一种容器内部镀膜装置及其方法，包括：柱状壳体，其内具有贯通该柱状壳体的二端的容置空间以容置一容器；第一弧形电极及第二弧形电极，其分别环绕包覆该柱状壳体的外侧，其中，该第一弧形电极及该第二弧形电极之间形成有间隙而不互相电性连接。本发明通过第一弧形电极及第二弧形电极设置于柱状壳体的外侧的技术特征，可避免现有技术中将内电极设置于塑胶容器内而必须清洁内电极的问题，而具有减少镀膜的时间及成本，以提升产品竞争力的功效。

公开(公告)号：CN102208322B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110083707.X

申请日：2011-03-30

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山本高志 ,  水上俊介 ,  大谷龙二 ,  樋口公博

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/6831 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  Y10T29/41

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和半导体装置的制造方法，其能够防止在半导体晶片等基板与下部电极的基材或其它周边构造物之间发生放电，能够使成品率提高，达到生产性的提高。该等离子体处理装置包括：处理腔室；设置在处理腔室内，具有被施加高频电力的由导电性金属构成的基材，兼用作载置被处理基板的载置台的下部电极；设置在处理腔室内，以与下部电极相对的方式配置的上部电极；和在下部电极上，以包围被处理基板的周围的方式配置的聚焦环，该等离子体处理装置中配置有电连接机构，该电连接机构经由电流控制元件对下部电极的基材与聚焦环之间进行电连接，并根据电位差产生直流电流。

公开(公告)号：CN103088319A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310016980.X

申请日：2009-08-31

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 加藤寿 ,  竹内靖 ,  牛窪繁博 ,  菊地宏之

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/452

CPC分类号： H01J37/32559 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J1/00 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： 本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气体活化的电力的一对电极，为了将被活化的气体喷出到气体活化室内而沿着电极的长度方向设置的气体喷出口。

公开(公告)号：CN100511583C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200710169238.7

申请日：2004-03-04

申请人： 积水化学工业株式会社

发明人： 野上光秀 ,  宫本荣司

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/67 ,  C23C16/509 ,  C23C16/513 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32724

摘要： 一种等离子加工装置，其中加工气体在圆环形内电极(11)和圆环形外电极(21)之间被等离子化。热导内温度调节部件(50)通过螺栓(7)挤压在内电极(11)的内周面上。热导外温度调节部件(60)通过螺栓(8)挤压在外电极(21)的外周面上。内、外部件(50、60)是可膨胀的和可收缩的C形形状。

公开(公告)号：CN1228213C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN02801310.7

申请日：2002-04-19

申请人： 日精ASB机械株式会社

发明人： 岛田清典

IPC分类号： B65D1/00 ,  B65D1/10 ,  B65D1/12 ,  B65D23/08 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27

CPC分类号： C23C16/5093 ,  B65D1/10 ,  B65D1/12 ,  C23C16/26 ,  Y10S72/715

摘要： 气障性合成树脂制容器(10)包括带有突缘(12A)的开口部(12)，从该开口部延续的筒部(14)，以及封闭该筒部(14)的底部(16)。容器(10)是一种广口容器，其中开口部(12)的最小内径Dmin大于筒部的最大内径Dmax。或者，容器(10)是一种广口容器，其中开口部(12)的最小内径Dmin小于筒部的最大内径Dmax，相差不超过20mm。在此一容器(10)的筒部(14)和底部(16)的外壁上形成类金刚石碳膜(18)。在内装物灌入此一容器(10)后，金属罐盖(20)双重卷边在突缘(12A)上，借此保证整个罐的高气障性。

公开(公告)号：CN1057349C

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN95120912.4

申请日：1995-12-15

申请人： 佳能株式会社

发明人： 植田重教 ,  桥爪淳一郎 ,  土田伸史

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  H01J37/36

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  G03G5/08214 ,  G03G5/08278 ,  H01J37/32706

摘要： 提供了一种等离子体加工方法和一种等离子体加工装置，在此方法和装置中用施加范围在20到450兆赫的高频电力，同时把范围在30到300V或-30到-300V的直流电压和/或范围在30到600V的交流电压施加到被抽空的反应室中的基底上的方法，在也用作一个电极的基底上制作沉积薄膜。这一方法使得把等离子体和薄膜厚度的分布变均匀成为实际可能的，而与放电频率和所施加的高频电力无关，从而加宽了加工(比如薄膜制作)条件允许的范围和装置设计的允许范围。

公开(公告)号：CN109478489A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043258.1

申请日：2017-07-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 谢尔盖·沃罗宁 ,  阿洛科·兰詹

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/3244

摘要： 描述了用于多区域电极阵列中的RF功率分配的系统和方法的实施方式。系统可以包括等离子体源，该等离子体源被配置成生成等离子体场。此外，该系统可以包括RF电源，该RF电源耦合至等离子体源并且被配置成向等离子体源提供RF功率。该系统还可以包括源控制器，该源控制器耦合至RF电源并且被配置成控制对提供给等离子体源的RF功率的调制，以提高由等离子体源生成的等离子体场的均匀性。