公开(公告)号：CN114975818B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202210170446.3

申请日：2022-02-24

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 高秀雄 ,  泉伦生 ,  及川和博

IPC: H10K50/84 ,  H10K71/00

Abstract: 提供用于采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件。另外，提供使用有该有机半导体器件用喷墨记录介质的、能够采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件的制造方法。本发明的有机半导体器件用喷墨记录介质是将基材、电极、及墨容纳层依次层叠的有机半导体器件用喷墨记录介质，其特征在于，上述墨容纳层在上述电极侧具有防止墨浸透区域，所述防止墨浸透区域防止从远离上述电极的表面向上述电极浸透的墨到达上述电极。

公开(公告)号：CN114975818A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210170446.3

申请日：2022-02-24

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 高秀雄 ,  泉伦生 ,  及川和博

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 提供用于采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件。另外，提供使用有该有机半导体器件用喷墨记录介质的、能够采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件的制造方法。本发明的有机半导体器件用喷墨记录介质是将基材、电极、及墨容纳层依次层叠的有机半导体器件用喷墨记录介质，其特征在于，上述墨容纳层在上述电极侧具有防止墨浸透区域，所述防止墨浸透区域防止从远离上述电极的表面向上述电极浸透的墨到达上述电极。