公开(公告)号：CN111373840B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201880071912.4

申请日：2018-11-09

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 牧岛幸宏 ,  高秀雄 ,  北弘志 ,  砚里善幸 ,  吉田丽娜

IPC: H05B33/04 ,  B01D53/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明的课题在于提供具备对于有机电致发光元件等电子器件作为水分透过的密封膜发挥功能的有机薄膜的电子器件的制造方法。本发明的电子器件的制造方法是至少依次具有有机功能层、防溶出膜及密封膜的电子器件的制造方法，其特征在于，具有：将有机硅树脂涂布后照射真空紫外线而形成所述防溶出膜的工序；和将金属醇盐和氟代醇的混合液在所述防溶出膜上涂布后照射真空紫外线而形成所述密封膜的工序。

公开(公告)号：CN111295929A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201880071913.9

申请日：2018-11-09

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 牧岛幸宏 ,  高秀雄 ,  北弘志 ,  砚里善幸

IPC: H05B33/04 ,  B01D53/28 ,  B01J20/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明的课题在于提供对于有机电致发光元件等电子器件能够用于水分透过的密封的干燥剂、含有该干燥剂的有机薄膜、层叠了有机薄膜层叠的有机层叠膜、和具备其的电子器件。本发明的干燥剂，其特征在于，含有通过吸水而放出疏水性物质的化合物。另外，本发明的有机薄膜，其特征在于，含有该干燥剂。

公开(公告)号：CN111295929B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201880071913.9

申请日：2018-11-09

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 牧岛幸宏 ,  高秀雄 ,  北弘志 ,  砚里善幸

IPC: H05B33/04 ,  B01D53/28 ,  B01J20/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H10K50/84

Abstract: 本发明的课题在于提供对于有机电致发光元件等电子器件能够用于水分透过的密封的干燥剂、含有该干燥剂的有机薄膜、层叠了有机薄膜层叠的有机层叠膜、和具备其的电子器件。本发明的干燥剂，其特征在于，含有通过吸水而放出疏水性物质的化合物。另外，本发明的有机薄膜，其特征在于，含有该干燥剂。

公开(公告)号：CN111373840A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880071912.4

申请日：2018-11-09

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 牧岛幸宏 ,  高秀雄 ,  北弘志 ,  砚里善幸 ,  吉田丽娜

IPC: H05B33/04 ,  B01D53/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明的课题在于提供具备对于有机电致发光元件等电子器件作为水分透过的密封膜发挥功能的有机薄膜的电子器件的制造方法。本发明的电子器件的制造方法是至少依次具有有机功能层、防溶出膜及密封膜的电子器件的制造方法，其特征在于，具有：将有机硅树脂涂布后照射真空紫外线而形成所述防溶出膜的工序；和将金属醇盐和氟代醇的混合液在所述防溶出膜上涂布后照射真空紫外线而形成所述密封膜的工序。

公开(公告)号：CN114975818B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202210170446.3

申请日：2022-02-24

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 高秀雄 ,  泉伦生 ,  及川和博

IPC: H10K50/84 ,  H10K71/00

Abstract: 提供用于采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件。另外，提供使用有该有机半导体器件用喷墨记录介质的、能够采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件的制造方法。本发明的有机半导体器件用喷墨记录介质是将基材、电极、及墨容纳层依次层叠的有机半导体器件用喷墨记录介质，其特征在于，上述墨容纳层在上述电极侧具有防止墨浸透区域，所述防止墨浸透区域防止从远离上述电极的表面向上述电极浸透的墨到达上述电极。

公开(公告)号：CN114975818A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210170446.3

申请日：2022-02-24

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 高秀雄 ,  泉伦生 ,  及川和博

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 提供用于采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件。另外，提供使用有该有机半导体器件用喷墨记录介质的、能够采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件的制造方法。本发明的有机半导体器件用喷墨记录介质是将基材、电极、及墨容纳层依次层叠的有机半导体器件用喷墨记录介质，其特征在于，上述墨容纳层在上述电极侧具有防止墨浸透区域，所述防止墨浸透区域防止从远离上述电极的表面向上述电极浸透的墨到达上述电极。