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公开(公告)号：CN107852793B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201680040836.1
申请日：2016-03-18
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社 , 国立大学法人山形大学
IPC: H05B33/12 , C07D405/14 , C07D519/00 , H01L51/50
Abstract: 本发明的课题在于提供即使是采用湿法形成了中间层的情况下也可抑制功能降低的有机薄膜层叠体。该有机薄膜层叠体是具有至少1层以上的有机功能层的有机薄膜层叠体，其特征在于，具有：含有在氟化溶剂以外的极性溶剂中可溶且在氟化溶剂中不溶的第1发光层材料的第1发光层12、层叠于第1发光层12的第2发光层14、和在第1发光层12与第2发光层14之间设置、含有非固化性材料的至少1层的中间层，至少1层的中间层中的任一个中间层13含有不具有聚合性基团的导电性聚合物，并且以1质量ppm以上且1000质量ppm以下的范围含有氟化溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109315046A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780038732.1
申请日：2017-06-01
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 及川和博
Abstract: 本发明的目的是提供一种适用于挠性基板，并且能够以低成本制造具有高发光效率和长寿命的有机EL元件的方法。该有机EL元件的制造方法是制造有机EL元件10的制造方法，其中所述有机EL元件10具有：在阳极12与阴极19之间的发光层15、阻挡层16以及电子传输层17，通过使用含有具有下述通式(1)所示结构的化合物及极性氟化溶剂的涂布液来形成阻挡层16。[X表示O、S或NR9。R1～R9分别表示氢原子、取代基或由通式(2)表示的取代基，并且至少一个表示由通式(2)表示的取代基]。[L表示连接基，R表示取代基，L和R中的至少一个表示亚烷基或烷基]。
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公开(公告)号：CN109983597A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780072141.6
申请日：2017-10-17
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种高效率、长寿命并且具有弯曲耐性的有机电致发光元件。有机电致发光元件(10)在阳极(12)与阴极(18)之间，具备发光层(15)以及与发光层(15)相邻的电子输送层(16)，发光层(15)的主体化合物的电离电势比发光层(15)的发光掺杂剂的电离电势深0.3eV以上，电子输送层(16)所包含的至少1个有机化合物的分子偶极矩为6.0德拜以上。
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公开(公告)号：CN107852793A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040836.1
申请日：2016-03-18
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社 , 国立大学法人山形大学
IPC: H05B33/12 , C07D405/14 , C07D519/00 , H01L51/50
Abstract: 本发明的课题在于提供即使是采用湿法形成了中间层的情况下也可抑制功能降低的有机薄膜层叠体。该有机薄膜层叠体是具有至少1层以上的有机功能层的有机薄膜层叠体，其特征在于，具有：含有在氟化溶剂以外的极性溶剂中可溶且在氟化溶剂中不溶的第1发光层材料的第1发光层12、层叠于第1发光层12的第2发光层14、和在第1发光层12与第2发光层14之间设置、含有非固化性材料的至少1层的中间层，至少1层的中间层中的任一个中间层13含有不具有聚合性基团的导电性聚合物，并且以1质量ppm以上且1000质量ppm以下的范围含有氟化溶剂。
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公开(公告)号：CN114975818B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210170446.3
申请日：2022-02-24
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 提供用于采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件。另外，提供使用有该有机半导体器件用喷墨记录介质的、能够采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件的制造方法。本发明的有机半导体器件用喷墨记录介质是将基材、电极、及墨容纳层依次层叠的有机半导体器件用喷墨记录介质，其特征在于，上述墨容纳层在上述电极侧具有防止墨浸透区域，所述防止墨浸透区域防止从远离上述电极的表面向上述电极浸透的墨到达上述电极。
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公开(公告)号：CN114975818A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210170446.3
申请日：2022-02-24
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 提供用于采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件用喷墨记录介质及有机半导体器件用构件。另外，提供使用有该有机半导体器件用喷墨记录介质的、能够采用简便的工艺高精度地制造有机半导体器件的有机半导体器件的制造方法。本发明的有机半导体器件用喷墨记录介质是将基材、电极、及墨容纳层依次层叠的有机半导体器件用喷墨记录介质，其特征在于，上述墨容纳层在上述电极侧具有防止墨浸透区域，所述防止墨浸透区域防止从远离上述电极的表面向上述电极浸透的墨到达上述电极。
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