电子器件及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112205076A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN201980036162.1

    申请日:2019-05-28

    Abstract: 本发明要解决的技术问题是提供一种电子器件及其制造方法,该电子器件至少具备有机功能层和密封层,其抑制该密封层形成时使用的溶剂向有机功能层的渗透,防止发光功能损害(例如,黑点),并且有机功能层和密封层的密合性优异。本发明的电子器件,其为至少具有有机功能层和密封层的电子器件,其中,所述密封层含有聚硅氮烷及其改性物,且在所述有机功能层和所述密封层之间,设置有含有光固化型或热固化型聚合物的中间层。

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