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公开(公告)号:CN112005131A
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN201980027702.X
申请日:2019-04-19
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的光学薄膜是在基材上设置的光学薄膜,具有:含有硅(Si)的氧化物的硅氧化物层;和在该硅氧化物层上设置、含有氟化物的防水层,采用纳米压痕所测定的所述硅氧化物层的硬度为9GPa以上,采用AFM所测定的所述防水层的算术平均粗糙度为0.7nm以上。
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公开(公告)号:CN112005131A
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN201980027702.X
申请日:2019-04-19
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的光学薄膜是在基材上设置的光学薄膜,具有:含有硅(Si)的氧化物的硅氧化物层;和在该硅氧化物层上设置、含有氟化物的防水层,采用纳米压痕所测定的所述硅氧化物层的硬度为9GPa以上,采用AFM所测定的所述防水层的算术平均粗糙度为0.7nm以上。