公开(公告)号：CN108290376A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680067287.7

申请日：2016-10-03

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 门马千明 ,  铃木一生

IPC: B32B9/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种气体阻隔性优异且即便在高温高湿下耐弯曲性也高的气体阻隔性膜。本发明的气体阻隔性膜的特征在于，在基膜上具备气体阻隔层，上述气体阻隔层含有Si原子、O原子和C原子，基于在上述气体阻隔层的从与上述基膜相反的一侧的表面到上述基膜侧的表面为止的层厚方向的0～100％的位置利用X射线光电子能谱法测定的C1s的波形解析的、表示C－C键与C－C、C－SiO、C－O、C＝O和C＝OO各键的合计的比率的C－C键分布曲线在75～100％的层厚方向的位置具有至少一个极大值。

公开(公告)号：CN108290376B

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201680067287.7

申请日：2016-10-03

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 门马千明 ,  铃木一生

IPC: B32B9/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种气体阻隔性优异且即便在高温高湿下耐弯曲性也高的气体阻隔性膜。本发明的气体阻隔性膜的特征在于，在基膜上具备气体阻隔层，上述气体阻隔层含有Si原子、O原子和C原子，基于在上述气体阻隔层的从与上述基膜相反的一侧的表面到上述基膜侧的表面为止的层厚方向的0～100％的位置利用X射线光电子能谱法测定的C1s的波形解析的、表示C－C键与C－C、C－SiO、C－O、C＝O和C＝OO各键的合计的比率的C－C键分布曲线在75～100％的层厚方向的位置具有至少一个极大值。

公开(公告)号：CN106457765B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201580032527.5

申请日：2015-06-16

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 有田浩了 ,  门马千明 ,  源田和男

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明的课题在于提供气体阻隔性的面内的波动少、反复弯折时的气体阻隔性的劣化得到抑制的气体阻隔膜和其制造方法。本发明的气体阻隔膜是在基材膜上具有气体阻隔层的气体阻隔膜，其特征在于，从所述气体阻隔膜采取多个试样作为评价试样，使用具有与水分反应而发生腐蚀的腐蚀性金属层的水蒸汽透过率评价单元通过特定的评价方法进行评价而得到的水蒸汽透过率(WVTR)的标准偏差(σ)满足下述式(I)。式(I)：0.01≤σ≤0.40。

公开(公告)号：CN106457765A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580032527.5

申请日：2015-06-16

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 有田浩了 ,  门马千明 ,  源田和男

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42

CPC classification number: B32B9/00 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明的课题在于提供气体阻隔性的面内的波动少、反复弯折时的气体阻隔性的劣化得到抑制的气体阻隔膜和其制造方法。本发明的气体阻隔膜是在基材膜上通过卷对卷形成气体阻隔层的气体阻隔膜，其特征在于，从所述气体阻隔膜采取多个试样作为评价试样，使用具有与水分反应而发生腐蚀的腐蚀性金属层的水蒸汽透过率评价单元通过特定的评价方法进行评价而得到的水蒸汽透过率(WVTR)的标准偏差(σ)满足下述式(I)。式(I)：0.01≤σ≤0.40。