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公开(公告)号:CN105088168A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510264523.1
申请日:2015-05-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/50 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/46 , H01L21/67109 , H01L21/67326 , H01L21/68721 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 根据一个实施例,一种晶片保持装置包括热接收部分,加热部分和接触部分。热接收部分接收来自热源的热。加热部分使用由热接收部分接收的热加热晶片。接触部分与晶片的外边缘接触。传热抑制部分至少设置用于接触部分,或者在热接收部分和接触部分之间,或者在加热部分和接触部分之间。
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公开(公告)号:CN111690992B
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202010122718.3
申请日:2020-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: D01D5/00
Abstract: 本发明的实施方式涉及喷头单元、电场纺丝喷头以及电场纺丝装置。提供可抑制结构以及控制系统的复杂化、制造成本的增加以及生产率的降低并且恰当地形成宽度方向尺寸大的纤维的膜的喷头单元、电场纺丝喷头以及电场纺丝装置。根据实施方式,电场纺丝喷头具备多个喷头单元以及连结构造,多个喷头单元通过连结构造相互连结。多个喷丝喷头单元分别具备单元主体以及喷嘴。在单元主体的内部沿着长边轴形成用于收纳原料液的空洞。喷嘴由导电材料形成,并且设置在单元主体的外周面。喷嘴喷出经由单元主体的空洞供给的原料液。连结构造在单元主体的空洞相互连通的状态下将多个喷头单元连结。
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公开(公告)号:CN104056748A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201410082149.9
申请日:2014-03-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B05B15/02
CPC classification number: B05B15/025 , B05B15/55 , B05B15/555 , B05C11/08 , H01L21/6715
Abstract: 本发明涉及喷嘴清洗单元及喷嘴清洗方法。一实施方式的喷嘴清洗单元具备:清洗喷嘴部,具有在供喷嘴插入的孔的内壁面开口为圆环状的第1喷射孔;气体供给部,向所述第1喷射孔供给气体;以及减压部,对供所述喷嘴插入的孔的、隔着设置有所述第1喷射孔的位置而与所述喷嘴的插入侧相反的一侧的气氛进行减压。
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公开(公告)号:CN111690992A
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN202010122718.3
申请日:2020-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: D01D5/00
Abstract: 本发明的实施方式涉及喷头单元、电场纺丝喷头以及电场纺丝装置。提供可抑制结构以及控制系统的复杂化、制造成本的增加以及生产率的降低并且恰当地形成宽度方向尺寸大的纤维的膜的喷头单元、电场纺丝喷头以及电场纺丝装置。根据实施方式,电场纺丝喷头具备多个喷头单元以及连结构造,多个喷头单元通过连结构造相互连结。多个喷丝喷头单元分别具备单元主体以及喷嘴。在单元主体的内部沿着长边轴形成用于收纳原料液的空洞。喷嘴由导电材料形成,并且设置在单元主体的外周面。喷嘴喷出经由单元主体的空洞供给的原料液。连结构造在单元主体的空洞相互连通的状态下将多个喷头单元连结。
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公开(公告)号:CN107429428A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201680011575.0
申请日:2016-09-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 实施方式的喷嘴头模块具备:喷嘴头,具有排出原料液的孔,被施加规定极性的电压;以及电极,设置为相对于上述喷嘴头能够在三维方向上相对移动,被施加与对上述喷嘴头施加的电压为相同极性的电压。
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公开(公告)号:CN104064490A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201310363069.6
申请日:2013-08-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C30B25/14 , C30B29/06 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68785
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置以及半导体晶片支架。根据一个实施方式,半导体晶片支架具有支承半导体晶片的第1保持区域部;以及包围第1保持区域并被支承于旋转体单元的第2保持区域部,第1保持区域部和第2保持区域部有阶差,在第1保持区域部中,在半导体晶片被支承于第1保持区域部时的半导体晶片的外缘的位置设置有多个通气孔。
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