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公开(公告)号:CN107075669B
公开(公告)日:2019-10-22
申请号:CN201580048993.2
申请日:2015-11-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种处理装置包括发生器安装件、第一对象安装件以及第一准直器。能够发射粒子的粒子发生器放置在发生器安装件上。第一对象放置在第一对象安装件上。第一准直器放置在发生器安装件和第一对象安装件之间,并且具有第一壁和第二壁。在第一准直器中,第一壁和第二壁形成在从发生器安装件到第一对象安装件的第一方向中延伸的第一通孔。第二壁中的每一个设置有至少一个第一通道。
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公开(公告)号:CN108026633A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680052053.5
申请日:2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/285
Abstract: 根据实施例的处理装置包括物体放置单元、源放置单元、整流构件以及电源。所述物体放置单元被配置为具有放置在其上的物体。所述源放置单元布置成与所述物体放置单元分开并且被配置为具有放置在其上的粒子源,所述粒子源能够朝着所述物体发射粒子。在从所述源放置单元至所述物体放置单元的第一方向上,所述整流构件布置在所述物体放置单元和所述源放置单元之间。所述电源被配置为向所述整流单元施加与所述粒子中的电荷的极性具有相同极性的电压。
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公开(公告)号:CN107949654A
公开(公告)日:2018-04-20
申请号:CN201680050892.3
申请日:2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/54 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01J37/3447 , H01L21/285
Abstract: 根据一个实施例的处理装置包括物体放置单元、源放置单元、准直器和温度调节单元。物体放置单元被配置以供物体放置。源放置单元被布置在与物体放置单元分离的位置上,并且被配置以供粒子源放置,粒子源能够朝向物体喷射粒子。准直器被配置为布置在物体放置单元与源放置单元之间,包括多个壁,并且设置有由所述多个壁形成并且从物体放置单元向源放置单元的方向延伸的通孔。温度调节单元被配置为调节准直器的温度。
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公开(公告)号:CN106575568A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201580040150.8
申请日:2015-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F41/0266 , B22F3/003 , B22F3/16 , B22F3/24 , B22F2003/248 , B22F2301/355 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C21D1/00 , C21D1/26 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , F27B5/04 , F27B5/13 , F27D15/02 , H01F1/0536 , H01F1/0557 , H01F1/0596 , H02K1/02 , H02K1/276 , H02K1/2766 , H02K15/03 , H02K21/00 , B22F3/087 , B22F3/10 , B22F2203/03 , B22F2203/11 , B22F2202/05
Abstract: 本发明提供高性能的永久磁铁。本发明中,进行熔体化处理,其具备:在温度TST下进行热处理的工序,和将具有第一层和设于第一层上的第二层的冷却构件配置在加热体和被处理体之间、以使第一层位于被处理体侧的工序,和将被处理体与冷却构件一起搬出至加热室的外部、对被处理体进行冷却,以使被处理体的温度达到比温度TST‑200℃低的温度的工序。在冷却被处理体的工序中,被处理体的温度达到温度TST‑200℃为止的冷却速度为5℃/s以上。
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公开(公告)号:CN107923036B
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201680050880.0
申请日:2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34
Abstract: 根据一个实施方式的处理装置包括物体配置部、发生源配置部和准直器。所述物体配置部配置有物体。所述发生源配置部配置在从所述物体配置部离开的位置,并配置有能够朝向所述物体释放粒子的粒子发生源。所述准直器配置在所述物体配置部与所述发生源配置部之间,具有多个壁,并设置有由所述多个壁形成的多个通孔。所述多个壁具有面向所述通孔的第一内表面。所述第一内表面具有:第一部分,由能够释放所述粒子的第一材料制成;和第二部分,在第一方向上与所述第一部分并列,比所述第一部分更接近所述物体配置部,并且,由与所述第一材料不同的第二材料制成。
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公开(公告)号:CN107923036A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680050880.0
申请日:2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34
Abstract: 根据一个实施方式的处理装置包括物体配置部、发生源配置部和准直器。所述物体配置部配置有物体。所述发生源配置部配置在从所述物体配置部离开的位置,并配置有能够朝向所述物体释放粒子的粒子发生源。所述准直器配置在所述物体配置部与所述发生源配置部之间,具有多个壁,并设置有由所述多个壁形成的多个通孔。所述多个壁具有面向所述通孔的第一内表面。所述第一内表面具有:第一部分,由能够释放所述粒子的第一材料制成;和第二部分,在第一方向上与所述第一部分并列,比所述第一部分更接近所述物体配置部,并且,由与所述第一材料不同的第二材料制成。
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公开(公告)号:CN107923035A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680050126.7
申请日:2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/285
Abstract: 根据实施方式的一种处理装置包括容器、工件放置单元、准直器、和磁场产生单元。工件放置单元设置在容器内部,所述工件放置单元上能够放置供粒子堆叠的工件。所述准直器被设置在所述容器内部,并包括第一表面、与所述第一表面相反侧的第二表面、以及穿透所述第一表面和所述第二表面的通孔。所述磁场产生单元被设置在所述容器内部,并且在所述通孔内部,在所述第一表面和所述第二表面之间产生磁场。
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公开(公告)号:CN107614740A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201680003575.6
申请日:2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/285
Abstract: 根据实施例的处理装置包括物体配置部、发生源配置部和准直器。物体配置部被构造成在其上设置物体。发生源配置部设置在远离物体配置部分开的位置,并且被构造成能够向着物体发射粒子的粒子发生源设置在发生源配置部上。准直器被构造成设置在物体配置部和发生源配置部之间,其包括框架和第一整流部,第一整流包括多个第一壁,包括多个由第一壁形成并沿第一方向从发生源配置部向物体配置部延伸的第一通孔,并且被构造成可移除地附接到框架。
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公开(公告)号:CN107430986A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201580077808.2
申请日:2015-09-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , B05C5/00 , B05C11/08
Abstract: 根据本发明的实施方式的喷嘴设置有本体。本体中设置有:供应口,液体通过供应口被供应;排出口,液体通过排出口向下排出;以及流路,其在供应口与排出口之间延伸。流路设置有存储部和排气部。存储部包括:第一部分,液体在第一部分中朝排出口向下流动;以及第二部分,其设置在第一部分的下游,并且液体在第二部分中朝排出口向上流动。排气部能够在液体处于没有从排出口排出而被存储在存储部中的情况下将位于第二部分的上游的气体排出。
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公开(公告)号:CN101411979A
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200810169086.5
申请日:2008-10-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B01J23/652 , H01M4/90 , H01M8/10
Abstract: 本发明提供可以提高对由一氧化碳造成的催化剂中毒的抑制作用的燃料极催化剂、燃料极催化剂的制造方法、燃料电池以及燃料电池的制造方法。提供燃料极催化剂,其特征在于,包含铂(Pt)和钼(Mo)的固溶体,所述固溶体的晶体结构为面心立方结构,所述固溶体中的所述钼(Mo)的组成比例为20原子%(at%)以下、10原子%(at%)以上。另外,根据本发明的另一实施方式,提供燃料极催化剂的制造方法,其特征在于,用氯铂酸(H2PtCl6)和钼酸钠二水合物(Na2MoO4·2H2O)生成铂水合物及氧化钼,使所述铂水合物及所述氧化钼进行还原,同时,使所述钼(Mo)固溶到所述铂(Pt)中。
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